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APT6013JVR 参数 Datasheet PDF下载

APT6013JVR图片预览
型号: APT6013JVR
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内容描述: 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
文件页数/大小: 4 页 / 75 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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APT6013JVR
100
I
D
,漏极电流(安培)
VGS = 6V , 7V , 10V 15V &
I
D
,漏极电流(安培)
100
6V
80
VGS = 7V , 10V 15V &
5.5V
60
80
5.5V
60
40
5V
40
5V
20
4.5V
20
4.5V
0
50
100
150
200
250
300
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图2 ,典型输出特性
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
100
I
D
,漏极电流(安培)
VDS>的ID (ON )× R DS( ON)的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 %占空比
0
0
3
6
9
12
15
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图3 ,典型输出特性
1.20
V
GS
0
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
80
1.15
60
1.10
VGS=10V
VGS=20V
1.00
40
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
TJ = -55°C
1.05
20
0
2
4
6
8
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图4 ,一般传输特性
40
I
D
,漏极电流(安培)
0.95
0
15
30
45
60
75
I
D
,漏极电流(安培)
图5中,R
DS
( ON)与漏电流
32
BV
DSS
,漏极 - 源极击穿
电压(归)
25
I = 0.5 I [续]
D
D
1.15
1.10
24
1.05
16
1.00
8
0.95
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
图6 ,最大漏极电流与外壳温度
R
DS
(ON ) ,漏极至源极导通电阻
(归一化)
2.5
V
0
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图7 ,击穿电压与温度
1.2
V
GS
( TH ) ,阈值电压
(归一化)
0.90
-50
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
050-5619冯 -
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
,结温( ° C)
图8 ,导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 ,阈值电压与温度
0.6
-50