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APT6029BLL 参数 Datasheet PDF下载

APT6029BLL图片预览
型号: APT6029BLL
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内容描述: 功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 73 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
 浏览型号APT6029BLL的Datasheet PDF文件第1页  
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
APT6029 BLL - SLL
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V
典型值
最大
单位
2460
440
28
56
13
25
13
10
25
8
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller " )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
dv
/
rr
dt
特性/测试条件
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流
1
二极管的正向电压
反向恢复时间(I
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
峰值二极管恢复
dv
/
dt
5
L
A
IC
N
H
C
ê ION
T T
E A
C M
n个R
A○
V F
值D N
A
I
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
R
G
= 1.6W
I
D
= I
D [续]
@ 25°C
典型值
(体二极管)
2
ns
最大
单位
安培
ns
µC
21
84
1.3
(V
GS
= 0V时,我
S
= -I
D [续]
)
450
8.0
反向恢复电荷(我
S
= -I
D [续]
, DL
S
/ DT = 100A / μs)内
8
V / ns的
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
特征
结到外壳
结到环境
典型值
最大
单位
° C / W
0.42
40
1
重复评价:脉冲宽度有限的最高结
温度。
2
脉冲测试:脉冲宽度< 380 μS ,占空比< 2 %
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C,L = 5.49mH , R = 25W ,峰值I = 21A
j
G
L
5 DV
/
号反映了测试电路的局限性,而不是
dt
设备本身。
IS
£
-
ID
[
续。
]二
/
dt
£
700A/µs
VR
£
VDSS TJ
£
150
°
C
APT保留更改的权利,恕不另行通知,该说明和信息,包含在本文中。
TO- 247封装外形
(散热器)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
6.15 ( 0.242 ) BSC
ð PAK封装外形
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.47 (.058)
1.57 (.062)
15.95 (.628)
16.05 (.632)
13.41 (.528)
13.51 (.532)
3
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
1.04 (.041)
1.15 (.045)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
修订
4/18/95
13.79 (.543)
13.99 (.551)
修订
8/29/97
11.51 (.453)
11.61 (.457)
0.46 (.018)
0.56 ( 0.022 ) { 3 }的PLC
4.50 ( 0.177 )最大。
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
8-2001
0.40 (.016)
0.79 (.031)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
5.45 ( 0.215 ) BSC
{ 2的PLC。 }
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
3.81 (.150)
4.06 (.160)
(铅基)
REV A
来源
散热器(漏)
并导致
2.21 (.087)
2.59 (.102)
050-7054
5.45 ( 0.215 ) BSC
2-Plcs.
尺寸以毫米(英寸)
来源
单位为毫米(英寸)
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个:
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058