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APT60N60BCSG 参数 Datasheet PDF下载

APT60N60BCSG图片预览
型号: APT60N60BCSG
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内容描述: 超级结MOSFET [Super Junction MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 403 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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600V 60A 0.045Ω
APT60N60BCS
APT60N60SCS
APT60N60BCSG * APT60N60SCSG *
* G表示符合RoHS标准的无铅终端完成。
ç OLMOS
O
功率半导体
超级结MOSFET
(B)
TO
-2
47
D
3
PAK
•超低低R
DS ( ON)
•低米勒电容
•超低栅极电荷,Q
g
•额定雪崩能量
•至尊的dv / dt评分
•热门TO- 247或表面贴装
D
3
(S)
D
G
S
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
DV /
dt
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
连续漏电流@ T
C
= 100°C
漏电流脉冲
1
所有评分:T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT60N60B_SCS(G)
600
60
38
230
±30
431
3.45
-55到150
260
50
11
2
3
单位
安培
门源电压连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度: 0.063"案件从10秒。
MOSFET的dv / dt坚固(V
DS
= 480V)
雪崩电流
2
W / ℃,
°C
V / ns的
安培
mJ
重复性雪崩能量
3
1950
单脉冲雪崩能量
静态电气特性
符号
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
特性/测试条件
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA)
漏源导通电阻
4
600
典型值
最大
单位
(V
GS
= 10V ,我
D
= 44A)
0.045
25
250
±100
2.1
3
3.9
µA
nA
3-2006
050-7239修订版B
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 600V, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流(V
DS
= 600V, V
GS
= 0V ,T
C
= 150°C)
门源漏电流(V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 3毫安)
APT网站 - http://www.advancedpower.com
注意:这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
"COOLMOS ™包括通过在网络霓虹科技股份公司研制的晶体管的一个新的家庭。 "COOLMOS"是与贸易
对在科幻霓虹技术AG."大关