APT8056BVR
30
I
D
，漏极电流（安培）
VGS = 6.5V ， 7V ， 10V 15V &
30
6V
I
D
，漏极电流（安培）
25
20
5.5V
15
10
5V
5
4.5V
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
1.3
V
GS
VGS = 6.5V ， 7V ， 10V 15V &
6V
25
20
5.5V
15
10
5V
5
4.5V
0
100
200
300
400
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
40
0
0
I
D
，漏极电流（安培）
32
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
1.2
24
1.1
VGS=10V
VGS=20V
16
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
0
TJ = -55°C
1.0
8
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
16
I
D
，漏极电流（安培）
0.9
0
6
12
18
24
30
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
BV
DSS
，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I = 0.5 I [续]
D
D
1.15
1.10
12
1.05
8
1.00
4
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
V
0
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
0.90
-50
GS
= 10V
2.0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
050-5564修订版B
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25 50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
0.6
-50
ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
