APT8075BVR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APT8075BVR
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内容描述：	功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 [Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
文件页数/大小：	4 页 / 66 K
品牌：	ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]

APT8075BVR

，漏极电流（安培）

10µS

100µS

操作点这里

限制根据RDS （ ON）

10,000

5,000

C，电容（pF ）

西塞

1mS

1,000

科斯

500

10mS

TC = + 25°C

TJ = + 150°C

单脉冲

100mS

CRSS

5 10

50 100

800

，漏极至源极电压（伏）

图10 ，最大安全工作区

I = I [续]

.01

，漏极至源极电压（伏）

图11 ，典型电容VS漏极至源极电压

，反向漏电流（安培）

100

，栅极至源极电压（伏）

VDS=100V

VDS=250V

TJ = + 150°C

TJ = + 25°C

VDS=400V

100

150

200

250

，总栅极电荷（ NC）

图12 ，栅极电荷VS栅极至源极电压

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

，源极到漏极电压（伏）

图13 ，典型的源极 - 漏极二极管的正向电压

TO- 247封装外形

4.69 (.185)

5.31 (.209)

1.49 (.059)

2.49 (.098)

6.15 （ 0.242 ） BSC

15.49 (.610)

16.26 (.640)

5.38 (.212)

6.20 (.244)

漏

20.80 (.819)

21.46 (.845)

3.50 (.138)

3.81 (.150)

4.50 （ 0.177 ）最大。

0.40 (.016)

0.79 (.031)

2.87 (.113)

3.12 (.123)

1.65 (.065)

2.13 (.084)

19.81 (.780)

20.32 (.800)

1.01 (.040)

1.40 (.055)

门

漏

来源

2.21 (.087)

2.59 (.102)

050-5608修订版B

5.45 （ 0.215 ） BSC

2-Plcs.

尺寸以毫米（英寸）

APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个： 4895810

5,256,583

5,045,903

4,748,103

5,089,434

5,283,202

5,182,234

5,231,474

5,019,522

5,434,095

5,262,336

5,528,058

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