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MMBR911LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBR911LT1图片预览
型号: MMBR911LT1
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内容描述: NPN硅低噪声,高频三极管 [NPN SILICON LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 6 页 / 148 K
品牌: ADPOW [ ADVANCED POWER TECHNOLOGY ]
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140 COMMERCE DRIVE
蒙哥马利, PA
18936-1013
电话:( 215 ) 631-9840
传真: ( 215 ) 631-9855
MMBR911LT1
NPN硅
低噪声,高频三极管
MMBR911LT1G
* G表示符合RoHS标准的无铅端子表面涂层
描述:
专为低噪声,宽动态范围的前端放大器和
低噪声VCO的。可在一个表面贴装塑料封装。这
小信号晶体管的塑料提供卓越的品质和性能
以较低的成本。
产品特点:
高增益带宽积
FT = 7.0千兆赫(典型值) @ 30毫安
低噪声系数
NF = 1.7分贝(典型值) @ 500 MHz的
高增益
GNF = 17分贝(典型值) @ 10毫安/ 500 MHz的
先进设备,最先进的技术
精线几何
离子注入砷发射
黄金顶部金属和电线
氮化硅钝化
可在磁带和卷轴包装选项:
T1后缀= 3000单位每卷
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D(最大)
T
英镑
T
JMAX
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
功率耗散@ T
= 75°C (1)
减免线性牛逼以上
= 75°C
储存温度
最高结温
价值
12
20
2.0
60
333
4.44
-55到+150
150
单位
VDC
VDC
VDC
mA
mW
毫瓦/°C的
ºC
ºC
先进的电源技术保留更改的权利,恕不另行通知,此处包含的规格和信息
请访问我们的网站:
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
REV A 9/2005