P-50A8V 参数 Datasheet PDF下载

型号：	P-50A8V
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内容描述：	超快，砷化铟镓PIN光电探测器设计 [An ultrafast, InGaAs PIN photodetector designed]
分类和应用：	光电
文件页数/大小：	2 页 / 102 K
品牌：	ADVANCEDPHOTONIX [ ADVANCED PHOTONIX, INC. ]

P-50A

• 0.65 / W的响应度

• 8 ps的上升时间

产品公告（目标） • 2002年2月

•超快PIN检测器模块

•高带宽， 50 GHz的

•前端40 Gb / s的接收器

• 50

∑

内部端接

该

P-50A

是一种超高速，砷化铟镓PIN

光电探测器设计成一个O / E前台

结束了OC- 768 ， 40 Gb / s的， RZ和NRZ

系统。专有的，背照

半导体二极管设计优化

速度和灵敏度为1310纳米

和1550纳米的波长，而

内部，陶瓷波导设计

保证一个干净的脉冲响应必要的

对于低群延时，时域，数字

应用程序。

该检测器被安装在一个紧凑的

8针蝴蝶式封装，

安立-V与50Ω输出接口

内部终端的低输出

VSWR和标准单模输入

纤维。气密模块符合Telcordia

兼容的。

特定网络阳离子

波长范围

带宽（ -3dB电）

低频截止

上升时间（10-90％）

超载

响应@ 1310纳米

响应@ 1550纳米

光回损

极化德普。响应

输出终端

最低

1200

0.55

0.5

典型

0.65

0.6

0.1

最大

1650

单位

GHz的

千赫

DBM

/ W

-30

0.2

Ω

直流电气

光电二极管的电压

机械

套餐类型

工作温度

储存温度

-40

与V连接器8针模块

+85

°C

P-50A

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