蓝增强型四单元硅光电二极管
PDB-C203
包装尺寸英寸[毫米]
包装尺寸英寸[毫米]
.168 [4.27]
.075 [1.91]
5X Ø.018 [0.46]
1
Ø.330 [8.38]
Ø.320 [8.13]
Ø.200 [5.08]
脚圈
4
CHIP周长
0.010 [ 0.25 ] MAX
GLASS上述盖子顶部边缘
Ø .362 [9.19]
Ø .357 [9.07]
5X 0.50 [ 12.7 ] MIN
阳极电解槽B 4
1
5
阳极电解槽A 3
D
A
0.005 [ 0.13 ] GAP
0.005 [ 0.13 ] GAP
阳极小区C
外壳接地&
共阴极
3
5
B
A
C
D
2
45°
70°
VIEWING
Ø.255 [ 6.48 ] ANGLE
Ø.245 [6.22]
芯片尺寸英寸[毫米]
芯片尺寸英寸[毫米]
.150 [3.81]
方
C
B
4X .050 [1.27 ]活动区域
4X .050 [1.27 ]活动区域
TO- 46封装
小区D
2阳极
概要
TO-5包
特点
•
•
•
•
低电容
蓝色增强
高速
低暗电流
描述
该
PDB-C203
是一个蓝色的增强型四硅电池
用于归零光电二极管，定心，或测量
封装在一个密闭TO-小的位置变化
5金属封装。
0.80
响应度（ A / W）
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
250
300
350
应用
•发射器对准
•位置传感
•医疗和工业
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
民
最大
100
+150
+125
+240
单位
V
°C
°C
°C
光谱响应
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
波长（nm ）
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
I
SC
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
V
BR
NEP
t
r
特征
短路电流
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
H = 100 FC， 2850 ķ
V
R
= 5V
V
R
= 10 mV的
V
R
=10 V,
f
= 1兆赫
现货扫描
I = 10
μA
V
R
= 0V @
L =峰值
RL = 50
Ω,V
R
= 0 V
RL = 50
Ω,V
R
= 10 V
民
30
250
350
50
典型值
50
0.5
500
8
75
8.5x10
-15
190
13
最大
1.0
单位
µA
nA
MΩ
pF
nm
V
W/
√
Hz
nS
1100
**的10 ％至90％的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改，恕不另行通知。
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1150
*从案例最多3秒1/16英寸。
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