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型号: PDB-C601-1
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内容描述: 可焊硅光电二极管 [Solderable Silicon Photodiodes]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 124 K
品牌: ADVANCEDPHOTONIX [ ADVANCED PHOTONIX, INC. ]
   
可焊硅光电二极管
PDB-C601-1
包装尺寸
[mm]
[mm]
芯片尺寸英寸
.030 [0.76]
.021 [0.53]
.014 [0.36]
.040 [1.02]
.125 [3.18]
.074 [1.88]
活动区域
芯片尺寸英寸[毫米]
0.022 [ 0.56 ]活动区域
焊接的光电二极管
BARE船舶PACKAGE
特点
描述
应用
光学编码器
位置传感器
工业控制
仪器仪表
红色增强
PDB-C601-1
由硅红色增强
• Photocondutctive
可焊接的光电二极管设计用于低电容
•高量子效率和高速下的光电导的应用程序。
绝对最大额定值
( TA )= 23 ° C除非另有说明
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-40
-40
75
+125
+100
+224
V
°C
°C
°C
响应度( A / W)
光谱响应
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
波长(nm )
1150
符号
参数
最大
单位
*从案例最多3秒1/16英寸。
光电特性评级
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
I
SC
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
V
BR
NEP
t
r
特征
短路电流
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
击穿电压
噪声等效功率
响应时间
测试条件
H = 100 FC, 2850 ķ
V
R
= 5 V
V
R
= 10 mV的
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
现货扫描
I = 10
μA
V
R
= 0V @
L =峰值
RL = 1KΩ ,V
R
= 5V
15
60
350
25
典型值
17
0.5
150
10
50
1x10
-14
10
最大
2
单位
μA
nA
MW
pF
nm
V
W/
Hz
nS
1100
**的10 %至90%的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改,恕不另行通知。
高级Photonix公司1240马路Acaso ,卡马里奥CA 93012 •电话( 805 ) 987-0146 •传真:( 805 ) 484-9935 •
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