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型号: PDB-V114
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内容描述: 蓝色增强光伏硅光电二极管 [Blue Enhanced Photovoltaic Silicon Photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 97 K
品牌: ADVANCEDPHOTONIX [ ADVANCED PHOTONIX, INC. ]
   
蓝色增强光伏硅光电二极管
PDB-V114
包装尺寸英寸[毫米]
包装尺寸英寸[毫米]
45°
Ø.362 [9.19]
Ø.357 [9.07]
Ø.330 [8.38]
Ø.320 [8.13]
.168 [4.27]
.075 [1.91]
2X Ø.018 [0.46]
阳极
63°
VIEWING
Ø.255 [ 6.48 ] ANGLE
Ø.245 [6.22]
.200 [5.08]
阴极
0.010 [ 0.25 ] MAX
GLASS上述盖子顶部边缘
2X 0.50 [ 12.7 ] MIN
芯片尺寸英寸[毫米]
芯片尺寸英寸[毫米]
.236 [5.99]
.136 [3.45]
0.124 [ 3.15 ]活动区域
TO- 46封装
TO-5包
.224 [5.69]
活动区域
特点
低噪音
蓝色增强
高分流电阻
高响应
描述
PDB-V114
是蓝色增强硅PIN
光电二极管在光电模式下,封装在一个
的TO- 46封装。
应用
•仪表
=工业
•医疗
绝对最大额定值
( TA )= 23 ° C除非另有说明
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
75
+150
+125
+240
V
°C
°C
°C
响应度( A / W)
光谱响应
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
波长(nm )
1150
符号
参数
最大
单位
*从案例最多3秒1/16英寸。
光电特性评级
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
I
SC
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
R
V
BR
NEP
t
r
特征
短路电流
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
H = 100 FC, 2850 ķ
V
R
= 10 V
V
R
= 10 mV的
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
450 nm的V ,V
R
= 0 V
I = 10
μA
V
R
= 0V @
L =峰值
RL = 50
Ω,V
R
= 0 V
RL = 50
Ω,V
R
= 10 V
200
0.2
350
0.15
30
典型值
230
335
1
2000
0.17
50
2X10
-14
190
13
最大
550
单位
μA
pA
GW
pF
nm
/ W
V
W/
Hz
nS
1100
**的10 %至90%的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改,恕不另行通知。
高级Photonix公司1240马路Acaso ,卡马里奥CA 93012 •电话( 805 ) 987-0146 •传真:( 805 ) 484-9935 •
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