GaAlAs的高功率红外LED发射器
(660nm/880nm)
PDI-E838
.063 [1.60]
.167 [4.24]
C
L
.104 [2.64]
C
L
包装尺寸英寸[毫米]
.055 [1.40]
RED L.E.D. CHIP
I.R. L.E.D. CHIP
.025 [0.64]
.060 [1.52]
C
L
引线键合
金属化
陶瓷的
.250 [6.35]
ENCAPSOLATE
联系B
CONTACT A
金属化陶瓷封装
特点
·低成本
• 660纳米+/- 3nm的
• 2驱动线
描述
该
PDI-E838
是两驱线双发射器
血氧饱和度分量。在660和880 nm的砷化镓铝
安装在一个水珠红外线发射掺杂的低
低成本陶瓷SMT封装。 LED是偏见
分别由上所述偏置销交替极性。
应用
•血氧探头
•手指夹
•可重复使用的探头
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号参数
P
d
I
f
I
p
V
r
T
英镑
T
O
T
S
功耗
连续正向电流
最大正向电流
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-40
-40
民
最大
250
30
200
4
+80
+80
+240
单位
mW
mA
mA
V
°C
°C
°C
概要
A
660纳米
LED
880纳米
LED
B
*从案例最多3秒1/16英寸。
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
P
o
Iv
V
f
V
r
l
p
特征
辐射通量
发光强度
正向电压
反向击穿电压
峰值波长
光谱半宽
上升时间
下降时间
测试条件
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
I
f
= 10
μA
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
660纳米
最小典型最大
1.8
2.4
20
30
1.8
2.4
5
658
661
664
21
0.1
0.04
880纳米
最小典型最大
1.2 1.8
1.2
5
870
880
50
0.8
0.8
1.7
890
单位
mW
MCD
V
V
nm
nm
uS
uS
Δ
l
t
r
t
f
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如有更改，恕不另行通知。
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