GaAlAs的高功率红外LED发射器
PDI-E940
包装尺寸英寸[毫米]
.118 [3.00]
.075 [1.90]
.037 [0.95]
1
.110 [2.79]
3
.020 [0.51]
2
明确
塑料
.009 [0.22]
15°
140°
发射
角
.059 [1.50]
.008 [0.20]
.043 [1.10]
1
2
.004 [0.10]
.039 [1.00]
芯片尺寸英寸[毫米]
0.016 [ 0.41 ] SQ
Ø0.0045 [0.114]
阴极焊盘
底侧阳极
3
SOT- 23封装
特点
• SOT- 23封装
=表面贴装
•宽发射角
描述
该
PDI-E940
是一种高功率940 nm和高
功率的GaAs发射极,封装在小成本低
SOT- 23表面贴装封装
应用
•光纤来源
•光学编码器
•点光源
绝对最大额定值
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号参数
P
d
I
f
I
p
V
r
T
英镑
T
O
T
S
功耗
连续正向电流
最大正向电流
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-25
-25
民
最大
170
100
1
5
+100
+100
+240
单位
mW
mA
A
V
°C
°C
°C
*从案例最多3秒1/16英寸。
光电特性评级
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
P
o
V
f
V
r
l
p
特征
输出功率
正向电压
反向击穿电压
峰值波长
光谱半宽
终端电容
上升时间
下降时间
测试条件
I
f
= 50毫安
I
f
= 20毫安
I
f
= 10
μA
I
f
= 100毫安
I
f
= 100毫安
V
r
= 0V , F = 1MHz的
I
f
= 100毫安
I
f
= 100毫安
民
18
5
920
典型值
22
1.5
30
940
50
25
80
180
最大
1.9
960
单位
mW
V
V
nm
nm
pF
nS
nS
Δ
l
C
t
t
r
t
f
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如有更改,恕不另行通知。
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转06年3月30日