增强的紫外线探测器的GaN
高级Photonix公司
包装尺寸英寸[毫米]
Ø.210 [5.35]
.055 [1.40]
2X Ø.017
[0.43]
阴极
VIEWING
角
61°
PDU-G101A
Ø .118 [3.00]
阳极
.100 [2.54]
Ø.181 [4.60]
芯片
.087 [2.21]
.500
[12.70]
芯片尺寸英寸[毫米]
0.016 [ 0.40 ] SQ
.0134 [0.340]
TO- 46封装
.0126 [0.320]
ACTIVE面积= 0.076毫米²
特点
•
•
•
•
365nm的紫外线响应
可见& NIR盲目
光伏操作
高分流电阻
描述
该
PDU-G101A
为GaN的UV光电二极管具有一个
光谱范围从200纳米到365纳米，是理想的
在TO- 46能提供UVB传感应用
封装。
1.000
应用
•
•
•
•
UVB功率计
孙剂量计
UV固化环氧
紫外线仪器仪表
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-40
-30
民
最大
5
+90
+85
+260
单位
V
°C
°C
°C
响应度（ A / W）
0.100
光谱响应
0.010
0.001
*从案例最多3秒1/16英寸。
0.000
230
240
250
260
270
280
290
300
310
320
330
340
350
360
370
380
390
波长（nm ）
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
I
SC
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
R
V
BR
NEP
t
r
特征
短路电流
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间
测试条件
UVI = 1
V
R
= 1V
V
R
= 10 mV的
V
R
= 0V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
为350nm V ，V
R
= 0 V
I = 1μA
V
R
= 10V @
L =峰值
RL = 1KΩ ，V
R
= 1V
民
典型值
1
0.05
1
24
0.10
10
1X10
-13
10
最大
1
单位
nA
nA
GW
pF
nm
/ W
V
W/
√
Hz
nS
0.45
200
365
15
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REV 07年4月19日
400
ADVANCEDPHOTONIX [ ADVANCED PHOTONIX, INC. ]
