增强的紫外线探测器的GaN
PDU-G106B-SM
包装尺寸英寸[毫米]
.095 [2.43]
.020 [0.50]
45°
.032 [0.80]
.138
[3.50]
.126
[3.20]
Ø.095
[2.40]
.075 [1.90]
.032 [0.80]
石英窗
.034 [0.85]
.058 [1.48]
0.016 [ 0.40 ] SQ
阳极
Ø.039 [Ø1.00]
.110 [2.80]
.083 [2.10]
阴极
.091 [2.30]
.051 [1.30]
.067 [1.70]
.169 [4.30]
.0134 [0.340]
.0126 [0.320]
拟议的焊盘布局
芯片
SMD封装
特点
•
•
•
•
320nm的紫外线响应
可见& NIR盲目
光伏操作
高分流电阻
描述
该
PDU-G106B-SM
为GaN的UV光电二极管用
光谱范围在200nm到320nm的并且是理想的
可用在SMD UVB传感应用
封装。
1.0000
应用
•
•
•
•
UVB功率计
孙剂量计
UV固化环氧
紫外线仪器仪表
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-40
-30
民
最大
5
+90
+85
+260
单位
°C
°C
°C
响应度（ A / W）
光谱响应
0.1000
0.0100
V
0.0010
0.0001
*从案例最多3秒1/16英寸。
0.0000
230
240
250
260
270
280
290
300
310
320
330
340
350
360
370
380
390
400
波长（nm ）
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
I
SC
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
R
V
BR
t
r
特征
短路电流
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
响应时间**
测试条件
UVI = 1
V
R
= 1V
V
R
= 10 mV的
V
R
= 0V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
为350nm V ，V
R
= 0 V
I = 1μA
RL = 1KΩ ，V
R
= 1V
民
典型值
1
50
1
24
0.10
10
10
最大
100
单位
nA
μA
GW
pF
nm
/ W
V
nS
0.45
200
320
15
**的10 ％至90％的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改，恕不另行通知。
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