紫外线增强硅光电二极管
PDU-V114
包装尺寸英寸[毫米]
包装尺寸英寸[毫米]
45°
Ø.362 [9.19]
Ø.357 [9.07]
Ø.330 [8.38]
Ø.320 [8.13]
.168 [4.27]
.075 [1.91]
2X Ø.018 [0.46]
阳极
63°
VIEWING
Ø.255 [ 6.48 ] ANGLE
Ø.245 [6.22]
.200 [5.08]
阴极
0.010 [ 0.25 ] MAX
GLASS上述盖子顶部边缘
2X 0.50 [ 12.7 ] MIN
芯片尺寸英寸[毫米]
芯片尺寸英寸[毫米]
.236 [5.99]
.136 [3.45]
0.124 [ 3.15 ]活动区域
TO-5包
TO-5包
.224 [5.69]
活动区域
特点
•
•
•
•
低噪音
紫外线增强
高分流电阻
高响应
描述
该
PDU-V114
是紫外线增强硅PIN
封装在一个密闭的TO- 5金属封装。
应用
•仪表
=工业
•医疗
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
民
最大
75
+150
+125
+240
单位
响应度（ A / W）
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
200
250
光谱响应
V
°C
°C
°C
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
*从案例最多3秒1/16英寸。
波长（nm ）
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
R
V
BR
NEP
t
r
特征
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
V
R
= 10mV的
V
R
= 10 mV的
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
254纳米V ，V
R
= 0 V
I = 10
μA
V
R
= 0V @
L =峰值
RL = 50
Ω,V
R
= 0 V
RL = 50
Ω,V
R
= 10 V
民
200
350
0.07
30
典型值
10
1000
2000
0.09
50
2 x10
-14
190
13
最大
50
单位
pA
MW
pF
nm
V
W/
√
Hz
nS
1100
**的10 ％至90％的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改，恕不另行通知。
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