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型号: SD012-70-62-541
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内容描述: 小面积的硅雪崩光电二极管 [Small Area Silicon Avalanche Photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 68 K
品牌: ADVANCEDPHOTONIX [ ADVANCED PHOTONIX, INC. ]
   
小面积的硅雪崩光电二极管
SD 012-70-62-541
包装尺寸英寸
/
mm
包装尺寸英寸
/
mm
TO-5包
TO- 46封装
芯片尺寸英寸[毫米]
芯片尺寸英寸[毫米]
特点
低噪音
小型
高速
低成本
描述
SD 012-70-62-541
是一个直径0.3毫米
小面积硅雪崩光电二极管( APD)的
可提供高增益和低噪声,包装
在密封TO- 46金属罐用平窗。
80
70
响应度( A / W)
应用
- 军事
=工业
•医疗
绝对最大额定值
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
130
-40
-40
最大
280
+85
+55
+240
单位
V
°C
°C
°C
60
50
40
30
20
10
0
400
光谱响应M = 100
光谱响应
80
70
60
50
40
30
R
450
500
550
600
650
700
750
800
850
QE
1000
1050
1100
900
950
20
10
0
*从案例最多3秒1/16英寸。
波长(nm )
光电特性评级
( TA )= 23 ° C和100的增益,在820nm的除非另有说明
符号
I
D
C
J
I
N
LRANGE
R
VOP
t
r
特征
测试条件
典型值
2
0.12
400
30
47
130
0 .7
280
1
1100
最大
10
2.5
单位
nA
pF
PA / ÷赫兹
nm
/ W
V
nS
暗电流
结电容
f
= 1兆赫
噪声电流谱密度F = 100千赫
光谱应用范围
现货扫描
l=
为660nm ,V
R
= 0 V
响应
l=
830nm的,V
R
= 0 V
工作电压
RL = 50
Ω,
l=
675nm
响应时间**
**的10 %至90%的响应时间被指定在820nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改,恕不另行通知。
( TA )= 23℃,增益= 100 ,在830nm的,除非另有
光电特性评级
符号
特征
测试条件
典型值
最大
单位
高级Photonix公司1240马路Acaso ,卡马里奥CA 93012 •电话( 805 ) 987-0146 •传真:( 805 )
484-9935 •
WWW.ADVANCEDPHOTONIX.COM
REV 06年8月22日