铟镓砷光电探测器
SD 060-11-41-211
高级Photonix公司
包装尺寸英寸[毫米]
Ø0.360 [9.14]
Ø0.240 [6.10]
0.075 [1.90]
3X Ø0.018 [0.5]
1
Ø0.325 [8.25] 113°
Ø0.200 [Ø5.08]
脚圈
2
3
芯片
0.165 [4.19]
0.50 [12.7]
底部视图
芯片尺寸英寸[毫米]
0.079 [2.02]
1阳极
2外壳接地
3阴极
0.079 [2.02]
Ø.060 [ 1.5 ]活动区域
TO- 39封装
特点
•
低噪音
- 低暗电流
•高响应
描述
该
SD 060-11-41-211
是的InGaAs光电二极管
具有高灵敏度和低噪声特性
包装在3含铅密封的TO- 39金属
封装。
1.2
1
响应度（ A / W）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
800
应用
- 通讯
=工业
•医疗
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
民
最大
75
+100
+85
+260
单位
V
°C
°C
°C
光谱响应
*从案例最多3秒1/16英寸。
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
波长（nm ）
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
R
V
BR
NEP
t
r
特征
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
V
R
= 5V
V
R
= 10 mV的
V
R
= 5V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
1310 ，V
R
= 5V
I = 1μA
V
R
= 5V @
l=1310nm
RL = 50
Ω,V
R
= 5V
民
2
800
0.83
典型值
10
6
250
0.92
18
1.79X10
-14
10
最大
50
450
1700
单位
nA
MW
pF
nm
/ W
V
W/
√
Hz
nS
**的10 ％至90％的响应时间被指定在波长1310nm的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
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REV 07年6月19日
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