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SD100-12-22-021图片预览
型号: SD100-12-22-021
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内容描述: 蓝色增强硅光电二极管 [Blue Enhanced Silicon Photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 101 K
品牌: ADVANCEDPHOTONIX [ ADVANCED PHOTONIX, INC. ]
   
蓝色增强硅光电二极管
SD 100-12-22-021
包装尺寸英寸[毫米]
包装尺寸英寸[毫米]
.169 [4.29]
.157 [3.99]
.075 [1.91]
3X Ø.018 [0.46]
1
Ø.264 [6.70]
Ø.256 [6.50]
Ø.330 [8.38]
Ø.320 [8.13]
Ø.200 [5.08]
脚圈
2
45°
82°
VIEWING
0.010 [ 0.25 ] MAX
玻璃CAP以上
顶部边缘
3X 0.500 [ 12.7 ] MIN
Ø .362 [9.19]
Ø .357 [9.07]
1阳极
3
芯片尺寸英寸[毫米]
.118 [3.00]
芯片尺寸英寸[毫米]
Ø.100 [Ø2.54]
活动区域
3未使用
2阴极/外壳接地
概要
TO-5包
TO-5包
特点
低噪音
蓝色增强
高分流电阻
高响应
描述
SD 100-12-22-021
是蓝色增强硅
PIN光电二极管,封装在一个密闭的TO- 5金属
封装。
应用
•仪表
=工业
•医疗
绝对最大额定值
( TA )= 23 ° C除非另有说明
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
75
+150
+125
+240
V
°C
°C
°C
响应度( A / W)
光谱响应
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
波长(nm )
1150
符号
参数
最大
单位
*从案例最多3秒1/16英寸。
光电特性评级
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
R
V
BR
NEP
t
r
特征
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
V
R
= 5V
V
R
= 10 mV的
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
450 nm的V ,V
R
= 0 V
I = 10
μA
V
R
= 0V @
L =峰值
RL = 50
Ω,V
R
= 0 V
RL = 50
Ω,V
R
=10 V
300
87
26
350
0.20
1100
0.28
50
4.2x10
-14
190
13
典型值
1.6
最大
6.4
单位
nA
MΩ
pF
nm
/ W
V
W/
Hz
nS
**的10 %至90%的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改,恕不另行通知。
高级Photonix公司1240马路Acaso ,卡马里奥CA 93012 •电话( 805 ) 987-0146 •传真:( 805 ) 484-9935 •
WWW.ADVANCEDPHOTONIX.COM
REV 06年7月31日