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型号: SD118-23-21-021
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内容描述: 红四增强细胞硅光电二极管 [Red Enhanced Quad Cell Silicon Photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 107 K
品牌: ADVANCEDPHOTONIX [ ADVANCED PHOTONIX, INC. ]
   
红四增强细胞硅光电二极管
SD 118-23-21-021
包装尺寸英寸[毫米]
包装尺寸英寸[毫米]
.128 [3.25]
.110 [2.79]
45°
.075 [1.91]
5X Ø.018 [0.46]
1
Ø.236 [5.99]
Ø.228 [5.79]
Ø.330 [8.38]
Ø.320 [8.13]
Ø.200 [5.08]
脚圈
4
芯片
周长
Ø .362 [9.19]
Ø .357 [9.07]
A
B
5
C
D
4X 0.042 [ 1.07 ] SQUARE
活动区域
5
B
A
C
D
2
113°
VIEWING
3
0.010 [ 0.25 ] MAX
玻璃CAP以上
顶部边缘
5X 0.500 [ 12.7 ] MIN
芯片尺寸英寸[毫米]
3
4
1
2
芯片尺寸英寸[毫米]
0.150 [ 3.81 ] SQUARE
C
D
B
A
TO- 46封装
概要
0.005 [ 0.13 ] GAP
0.005 [ 0.13 ] GAP
TO-5包
特点
低噪音
红色增强
高分流电阻
高响应
描述
SD 118-23-21-021
是一个红色的增强型四核细胞
用于归零的硅光电二极管,居中或
测量封装在小的位置变化
密封TO- 5金属封装。
0.70
响应度( A / W)
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
应用
•发射器对准
•位置传感
•医疗和工业
绝对最大额定值
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
最大
50
+150
+125
+240
单位
V
°C
°C
°C
光谱响应
1000
1050
1100
波长(nm )
光电特性评级
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
R
V
BR
NEP
t
r
特征
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
V
R
= 5 V
V
R
= 10 mV的
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
633纳米,V
R
= 0 V
l=
900nm处,V
R
= 0 V
I = 10
μA
V
R
= 0V @
l=950nm
RL = 50
Ω,V
R
= 0 V
RL = 50
Ω,V
R
= 10 V
450
典型值
0.5
最大
2.5
单位
nA
MW
pF
1100
0.36
0.55
50
2.5x10
-14
190
13
nm
/ W
V
W/
Hz
nS
35
7
350
0.32
0.50
**的10 %至90%的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改,恕不另行通知。
高级Photonix公司1240马路Acaso ,卡马里奥CA 93012 •电话( 805 ) 987-0146 •传真:( 805 ) 484-9935 •
WWW.ADVANCEDPHOTONIX.COM
1150
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
*从案例最多3秒1/16英寸。