紫外线增强硅光电二极管
SD 200-13-23-242
包装尺寸英寸[毫米]
包装尺寸英寸[毫米]
.208 [5.28]
.193 [4.90]
.100 [2.54]
Ø.300 [7.62]
脚圈
Ø.435 [11.05]
Ø.425 [10.80]
Ø.490 [12.45]
Ø.480 [12.19]
95°
VIEWING
角
1
Ø.555 [14.10]
Ø.545 [13.84]
2
3X Ø.018 [0.46]
3
0.024 [ 0.60 ] MAX
GLASS上述盖子顶部边缘
3X 1.50 [38.1]
1阳极
2外壳接地
Ø.200 [5.08]
活动区域
3阴极
概要
芯片尺寸英寸[毫米]
芯片尺寸英寸[毫米]
.222 [5.64]
方
TO- 8封装
TO- 8封装
特点
•
•
•
•
低噪音
紫外线增强
高分流电阻
高响应
描述
该
SD 200-13-23-242
是紫外线增强硅PIN
封装在一个密闭的TO- 5金属封装。
应用
•仪表
=工业
•医疗
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
民
最大
75
+150
+125
+240
单位
响应度（ A / W）
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
200
250
光谱响应
V
°C
°C
°C
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
*从案例最多3秒1/16英寸。
波长（nm ）
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
I
D
R
SH
C
J
LRANGE
R
V
BR
NEP
t
r
特征
暗电流
分流电阻
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
V
R
= 5V
V
R
= 10 mV的
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 5 V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
为365nm ，V
R
= 0 V
I = 10
μA
V
R
= 0V @
l=365nm
RL = 50
Ω,V
R
= 0 V
RL = 50
Ω,V
R
= 10 V
民
77
345
102
250
0.14
1100
0.18
10
8.9x10
-14
190
13
典型值
6.0
最大
30
单位
nA
MW
pF
nm
/ W
V
W/
√
Hz
nS
**的10 ％至90％的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改，恕不另行通知。
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