红色增强超低电容硅光电二极管
SD 290-11-31-241
包装尺寸英寸[毫米]
包装尺寸英寸[毫米]
.208 [5.28]
.193 [4.90]
.100 [2.54]
Ø.300 [7.62]
脚圈
Ø.435 [11.05]
Ø.425 [10.80]
Ø.490 [12.45]
Ø.480 [12.19]
90°
VIEWING
角
1
Ø.555 [14.10]
Ø.545 [13.84]
2
3X Ø.018 [0.46]
3
0.016 [ 0.41 ] MAX
GLASS上述盖子顶部边缘
3X 1.50 [38.1]
1阳极
2外壳接地
3阴极
概要
TO- 8封装
芯片尺寸
英寸[毫米]
芯片尺寸
英寸[毫米]
.320 [8.13]
.240 [6.10]
0.220 [ 5.59 ]活动区域
TO- 8封装
.300 [ 7.62 ]活动区域
特点
•
•
•
•
低噪音
红色增强
高分流电阻
高响应
描述
该
SD 290-11-31-241
是一种超低电容
硅PIN光电二极管，红色增强，封装在一个
含铅的密封TO- 8金属封装。
应用
- 军事
=工业
•医疗
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
民
最大
75
+150
+125
+240
单位
响应度（ A / W）
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
250
300
光谱响应
V
°C
°C
°C
*从案例最多3秒1/16英寸。
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
波长（nm ）
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
I
D
C
J
LRANGE
R
V
BR
NEP
t
r
特征
暗电流
结电容
光谱应用范围
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
V
R
= 50V
V
R
= 0V,
f
= 1兆赫
V
R
= 50V,
f
= 1兆赫
现货扫描
l=
900nm处，V
R
= 0 V
I = 10
μA
V
R
= 5V @
l=950nm
RL = 50
Ω,V
R
= 0 V
RL = 50
Ω,V
R
= 50 V
民
典型值
110
235
22
0.55
75
3.8 x10
-13
190
8
最大
425
单位
nA
pF
1100
nm
/ W
V
W/
√
Hz
nS
350
0.50
**的10 ％至90％的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改，恕不另行通知。
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