高压P型四硅探测器
SD 551-23-41-221
包装尺寸
英寸[毫米]
包装尺寸
英寸[毫米]
Ø1.032 [26.21]
.337 [8.56]
.105 [2.67]
7X Ø.018 [0.46]
2
A
B
D
C
Ø.730 [18.54]
Ø.955 [24.27]
43°
VIEWING
角
30°
D
1
C
7
45°
.645 [16.38]
0.010 [ 0.25 ] MAX
以上玻璃
CAP顶部边缘
7X .440 [11.18]
阴极（PIN 4 ）
阴极b （引脚6）
阴极c （引脚1 ）
阴极d （PIN 2 ）
保护环（PIN 3 ）
外壳接地（引脚5）
A
B
6
3
4
5
30°
30°
Ø.730 [18.54]
脚圈
30°
芯片尺寸英寸[毫米]
4X阴极PADS
共阳极（引脚7）
芯片尺寸英寸
保护环
[mm]
A
D
.645 [16.38]
8X 45°
B
C
0.010 [ 0.25 ] GAP
TO- 46封装
概要
Ø.550 [ 13.97 ]活动区域
TO- 8封装
0.010 [ 0.25 ] GAP
特点
•
•
•
•
大有效面积
低电容
高速
高响应
描述
该
SD 551-23-41-221
是一种近红外增强硅
用于需要快速应用P型检测器
响应具有低电容和高响应
封装在一个密闭的TO- 8金属封装。
应用
•激光制导弹药
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
V
BR
T
英镑
T
O
T
S
参数
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-40
民
最大
180
+100
+85
+260
单位
V
°C
°C
°C
*从案例最多3秒1/16英寸。
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
I
D
C
J
R
V
BR
NEP
t
r
特征
暗电流
结电容
响应
击穿电压
噪声等效功率
响应时间**
测试条件
V
R
= 180 V
V
R
= 180 V,
f
= 100千赫
l=
1064 ，V
R
=180V
I = 10
μA
V
R
= 180V @
l=1064
RL = 50
Ω,V
R
= 180V
民
典型值
40
12
0.48
2.3x10
-13
10
最大
1000
15
单位
nA
pF
/ W
V
W/
√
Hz
nS
0.41
200
12
**的10 ％至90％的响应时间被指定在660nm的波长的光。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改，恕不另行通知。
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REV 06年4月21日
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