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型号: SD630-70-73-500
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内容描述: 非制冷大面积UV硅雪崩光电二极管 [Non-Cooled Large Area UV Silicon Avalanche Photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 57 K
品牌: ADVANCEDPHOTONIX [ ADVANCED PHOTONIX, INC. ]
   
非制冷大面积UV硅雪崩光电二极管
SD 630-70-73-500
包装尺寸英寸
连接中心销阴极
连接器外护套阳极
SHV包装
特点
低噪音
•高增益
•高速
描述
SD 630-70-73-500
是一个非冷却大面积的紫外线
增强型硅雪崩光电二极管( APD)的同
高增益和低噪声的SHV包。
应用
•仪表
•医疗
绝对最大额定值
( TA )= 23 ° C除非另有说明
符号
M
T
英镑
T
O
T
S
参数
收益
储存温度
工作温度
焊接温度*
-55
-55
最大
250
+70
+40
+240
°C
°C
°C
单位
响应度( A / W)
100
80
60
40
20
0
光谱响应M = 200
100
80
60
40
20
0
1000
波长(nm )
1050
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
R
QE
*从案例最多3秒1/16英寸。
光电特性评级
( TA )= 23 ° C和200的增益除非另有说明
符号
I
D
C
J
I
N
LRANGE
R
VOP
T
VBR
t
r
特征
测试条件
典型值
280
130
2.5
350
38
1700
恒增益= 200
RL = 50
Ω,
l=
675nm
2
15
2000
22
最大
600
5.5
1050
单位
nA
pF
PA / ÷赫兹
nm
/ W
V
V
nS
暗电流
结电容
f
= 1兆赫
噪声电流谱密度F = 100千赫
光谱应用范围
现货扫描
l=
350纳米,V
R
= 0 V
响应
工作电压
温度。 COEFF 。击穿电压
响应时间*
* 10%到90%的响应时间被指定在675nm波长的光。
每个部分被提供有增益的偏置电压和暗电流数据。
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改,恕不另行通知。
高级Photonix公司1240马路Acaso ,卡马里奥CA 93012 •电话( 805 ) 987-0146 •传真:( 805 ) 484-9935 •
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