AD694
图4.使用可选的传输晶体管，以最小化自加热误差;双电源供电所示
功率耗散考虑事项
P(
合计
） = 2毫安
×
24 V + (24 V – 10 V)
×
1毫安+ （ 24 V - 0 V ）
×
20毫安
= 48毫瓦+ 14 MW + 480 MW = 542毫瓦
该AD694的额定工作在其指定的温度
无需使用外部晶体管。然而，这是
可能超过绝对最大功耗，
用电源的电压和电压的一些组合
参考负载。该部分的内部耗散可以calcu-
迟来以确定是否存在这样的可能性：绝对马克西
妈妈损耗可能超过。模具温度必须
不能超过150 ℃。
总功率耗散（ P
合计
） ，是电力消耗的总和
通过内部放大器， P（常委） ，电压基准，
P （V
REF
）和电流输出级，P（I
OUT
）如下：
P
合计
= P （常委） + P （V
REF
）+ p （我
OUT
)
其中：
P（常委） = 2
毫安（最大）
×
V
S
P （V
REF
) = (V
S
– V
REF
)
×
I
VREF
P（I
OUT
) (V
S
– V
OUT
)
×
I
OUT
（最大） ：
I
OUT
（最大值）可能是最大预期操作电流
出租，或者该设备的过载电流。
P（I
OUT
)
下降到（ 2伏
×
I
OUT
）如果一个通道晶体管
被使用。
定义：
V
REF
=
参考输出电压
I
VREF
=
参考输出电流
V
S
•电源电压
V
OUT
=在我的电压
OUT
引脚。
一个适当的安全系数应添加至P
合计
.
结温度可以被计算为以下
公式：
T
J
= P
合计
(
θ
JC
+
θ
CA
) + T
环境
θ
JC
是在芯片和封装之间的热阻
（情况），
θ
CA
是的情况下和其之间的热阻
周围和通过的特性决定
的情况下的热连接到周围环境。
例如，假设该部分与V操作
S
24 V
在CERDIP包装在50℃下，用在10V的1毫安负载
参考。假设我
OUT
被接地，而最大余
OUT
将在20 mA的电流。内部耗散将是：
REV 。一
–7–
运用
θ
JC
30° C /瓦和
θ
CA
为70℃ /瓦特， （从规格页）
结温度是：
T
J
= 542
mW
(30
°
C / W + 70
°
C / W） + 50
°
C = 104.2
°
C
结温度是在安全区域中。
内部功耗可以通过降低减少
价值
θ
CA
通过使用空气流或散热片，或通过重新
ducing P（
合计
）通过使用一个外部旁路的AD694的
晶体管。图5示出了最大的情况下，仍然空气温
peratures对于功耗的一个给定的电平。
图5.内部功耗在毫瓦
调整程序
以下各节描述了微调的输出方法
把当前的偏移量，跨度，参考电压。
ADJUSTING 4毫安ZERO
4毫安零电流可在2毫安范围内调节
到4.8毫安容纳大输入信号的偏移，或以允许
小调整在零电流。零可被调节
通过在引脚6 （ 4毫安形容词）来增加或DE-拉向上或向下
弄皱额定补偿电流。 4毫安ADJ。 （引脚6 ）应
不被驱动到电压大于1 V的装置
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