AD7545A–SPECIFICATIONS
(V
参数
静态性能
决议
相对精度
微分非线性
增益误差
增益温度COEF网络cient
2
ΔGain / ΔTemperature
直流电源抑制
2
ΔGain / ΔV
DD
输出漏电流在OUT1
VERSION
所有
K，B ，T
L，C ，U
所有
K，B ，T
L，C ，U
所有
所有
所有
K，L
B，C
T，U
所有
12
±
1/2
±
1/2
±
1
±
3
±
1
±
5
±
2
0.002
10
10
10
1
12
±
1/2
±
1/2
±
1
±
4
±
2
±
5
±
2
REF
=
10 V, V
OUT1
= O V， AGND = DGND除非另有说明）
V
DD
= +15 V
范围
T
A
= + 25 （C T）
民
–T
MAX1
12
±
1/2
±
1/2
±
1
±
3
±
1
±
5
±
2
0.002
10
10
10
1
12
±
1/2
±
1/2
±
1
±
4
±
2
±
5
±
2
0.004
50
50
200
1
V
DD
= +5 V
范围
T
A
= + 25 （C T）
民
–T
MAX1
单位
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
PPM / ° C最大值
PPM /°C的典型值
％按％最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
µs
最大
测试条件/评论
终点测量
所有等级保证12位
单调过热
测量使用内部研发
FB
.
DAC寄存器加载全1 。
0.004
50
50
200
1
∆V
DD
=
±
5%
DB0 - DB11 = 0 V ;
WR ， CS
= 0 V
动态性能
目前的稳定时间
2
1/2 LSB 。 OUT1负载= 100
Ω,
C
EXT
= 13 pF的。 DAC输出测量
从下降沿
WR ， CS
= 0 V.
传播延迟
2
（从数字
输入电平变化到90 ％
最后的模拟输出）
数模转换毛刺脉冲
AC穿心
2, 4
在OUT1
参考输入
输入阻抗
（引脚19至GND）
模拟输出
输出电容
2
C
OUT1
C
OUT1
数字输入
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入电流
5
I
IN
输入电容
2
DB0–DB11,
WR ， CS
开关特性
片选写建立时间
t
CS
片选写保持时间
t
CH
把脉冲宽度
t
WR
数据建立时间
t
DS
数据保持时间
t
DH
电源
V
DD
I
DD
2
所有
所有
200
5
–
–
150
5
–
–
ns（最大值）
纳伏秒（典型值）
OUT1负载= 100
Ω,
C
EXT
= 13 pF的
3
V
REF
= AGND 。 OUT1负载= 100
Ω,
另外满载着所有的0和1 。
V
REF
=
±
10 V ， 10 kHz正弦波
输入电阻TC = -300 PPM /°C的典型值
典型的输入电阻= 15 kΩ的
所有
所有
5
10
20
5
10
20
5
10
20
5
10
20
mV的P-P （典型值）
kΩ的分
kΩ最大值
所有
70
150
70
150
70
150
70
150
pF的最大
pF的最大
DB0 - DB11 = 0 V ，
WR ， CS
= 0 V
DB0 - DB11 = V
DD
,
WR ， CS
= 0 V
所有
所有
所有
所有
K， B， L，C
T，U
所有
K， B， L，C
T，U
所有
所有
所有
所有
2.4
0.8
±
1
8
100
100
0
100
100
100
5
5
2
100
10
2.4
0.8
±
10
8
130
170
0
130
170
150
5
5
2
100
10
13.5
1.5
±
1
8
75
75
0
75
75
60
5
15
2
100
10
13.5
1.5
±
10
8
85
95
0
85
95
80
5
15
2
100
10
V分钟
V最大
µA
最大
pF的最大
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
V
最大mA
µA
最大
µA
典型值
±
对于指定的性能5 ％
所有数字输入V
IL
或V
IH
所有数字输入0 V或V
DD
所有数字输入0 V或V
DD
见时序图
V
IN
= 0或V
DD
t
CS
≥
t
WR
, T
CH
≥
0
笔记
1
温度范围如下： K，L版本= 0 ° C至+ 70°C ; B，C版本= -25 ° C至+ 85°C ; T，U版本= -55 ° C至+ 125°C 。
2
样品测试，以确保合规性。
3
DB0 - DB11 = 0 V到V
DD
或V
DD
为0V。
4
穿通线可以通过连接的金属盖在陶瓷封装到DGND进一步降低。
6
逻辑输入MOS盖茨。典型输入电流（ + 25℃）小于1 nA的。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
AD [ ANALOG DEVICES ]
