ADG441/ADG442/ADG444
单电源
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
∆R
ON
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
(关闭)
流掉泄漏我
D
(关闭)
渠道渗漏我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
t
开放
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
ADG441/ADG442
ADG444
I
L
(仅ADG444 )
DD
=
+12 V
±
10%, V
SS
= 0 V, V
L
= +5 V
±
10% ( ADG444 ) ,GND = 0V ,除非另有说明)
B版本
-40 ° C至
+25°C
+85°C
0到V
DD
70
110
130
4
9
1
3
70
110
T版
-55℃〜
+25°C
+125°C
0到V
DD
130
4
9
1
3
单位
V
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
Ω
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
µA
典型值
µA
最大
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
= + 3V , + 8V ,我
S
= -10毫安;
V
DD
= +10.8 V
+3 V
≤
V
D
≤
+8 V
V
D
= 6 V,I
S
= -10毫安
V
DD
= +13.2 V
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
测试电路2
V
D
= 12.2 V/1 V, V
S
= 1 V/12.2 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 12.2 V/1 V;
测试电路3
±
0.01
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.08
±
0.5
±
3
±
3
±
3
2.4
0.8
±
0.00001
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.01
±
0.5
±
0.08
±
0.5
±
20
±
20
±
40
2.4
0.8
±
0.00001
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
105
150
40
60
50
2
6
60
100
7
10
16
220
100
105
150
40
60
50
2
6
60
100
7
10
16
220
100
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 8V ;测试电路4
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 8V ;测试电路4
R
L
= 1千欧,C
L
= 35 pF的;
V
S
= 6 V ,R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的;
V
DD
= +12 V, V
SS
= 0 V;
测试电路5
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
测试电路6
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;
测试电路7
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +13.2 V
数字输入= 0 V或5 V
80
0.001
1
0.001
1
2.5
2.5
0.001
1
0.001
1
80
2.5
2.5
µA
最大
µA
典型值
µA
最大
µA
典型值
µA
最大
V
L
= +5.5 V
笔记
1
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C ;牛逼的版本: -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证,不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
订购指南
表一,表真相
模型
1
开关
条件
ON
关闭
ADG441BN
ADG441BR
ADG441TQ
ADG442BN
ADG442BR
ADG444BN
ADG444BR
N
OTES
1
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
封装选项
2
N-16
R-16A
Q-16
N-16
R-16A
N-16
R-16A
ADG441/ADG444
IN
0
1
ADG442
IN
1
0
如需订购MIL -STD - 883 , B类加工零件,添加/ 883B到T级部分
号。
2
N =塑料DIP , R = 0.15"小外形集成电路( SOIC ) , Q =陶瓷浸渍。
第0版
–3–