ADG704
特定网络阳离子
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
1
(V
DD
= +3 V
的10％ ， GND = 0V。所有规格-40 ℃至85 ℃，除非另有说明。 ）
B版本
-40 ℃〜
+25 C
+85 C
0 V至V
DD
5
8
单位
V
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
Ω
最大
Ω
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
µA
典型值
µA
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
4.5
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安;
测试电路1
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -10毫安
V
DD
= +3.3 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V/3 V;
测试电路2
V
S
= V
D
= 3 V或1伏;
测试电路3
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
0.1
0.4
2.5
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.3
±
0.3
±
0.3
2.0
0.4
0.005
±
0.1
V
IN
= V
INL
或V
INH
16
24
8
16
9
1
3
–60
–80
–62
–82
200
9
37
54
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S
= 2 V ，测试电路4
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 2 V ，测试电路5
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的;测试电路9
0.001
1.0
µA
典型值
µA
最大
V
DD
= +3.3 V
数字输入= 0 V或3 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
AD [ ANALOG DEVICES ]
