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    IQE013N04LM6SC

     英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 40 V：IQE013N04LM6SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。
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    RB078RSM10S (新产品)

     RB078RSM10S是一款超低IR的肖特基势垒二极管。该产品非常适用于开关电源、续流二极管和反接保护应用。
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    GCG1552C1H3R7CA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    FDN304PZ

     P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-2.4A，52mΩ
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