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    5962R9689104VYC 参数 Datasheet PDF下载

    5962R9689104VYC图片预览
    型号： 5962R9689104VYC
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    内容描述： 抗辐射32K ×8 PROM [Radiation-Hardened 32K x 8 PROM]
    分类和应用： 内存集成电路可编程只读存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 71 K
    品牌： AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
     浏览型号5962R9689104VYC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号5962R9689104VYC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5962R9689104VYC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5962R9689104VYC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962R9689104VYC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962R9689104VYC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5962R9689104VYC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5962R9689104VYC的Datasheet PDF文件第9页  
    t
    AVAV
    A(14:0)
    CE
    t
    ELQX
    t
    ELQV
    OE
    t
    GLQV
    DQ （ 7 ： 0 ）
    t
    GLQX
    t
    AVQV
    t
    AXQX
    t
    GHQZ
    t
    AVQV
    t
    EHQZ
    图2 PROM读周期
    抗辐射
    该UT28F256 PROM采用特殊的设计和布局
    功能允许在高强度辐射的操作
    环境。 UTMC已经开发了特殊的低温
    处理技术旨在提高总剂量
    栅氧化物和场氧化物，而两者的辐射硬度
    抗辐射设计规范
    1
    总剂量
    闭锁阈值LET
    存储单元的LET阈值
    瞬时翻转LET阈值
    瞬时翻转装置断面@ LET = 128兆电子伏特厘米
    2
    /毫克
    保持电路密度和可靠性。对于瞬态
    抗辐射和闭锁免疫力， UTMC生成所有
    在使用外延晶片的抗辐射加固的制品
    先进的双桶CMOS工艺。此外， UTMC自付
    在特别注意电源和接地分布
    设计阶段，最大限度地减少剂量率打乱铁路塌陷引起的。
    1E6
    >128
    >128
    54
    1E-6
    Rad公司（SI ）
    兆电子伏特厘米
    2
    /毫克
    兆电子伏特厘米
    2
    /毫克
    兆电子伏特厘米
    2
    /毫克
    cm
    2
    注意：
    1 。该PROM不会闭锁推荐工作条件下的辐射暴露过程中。
    5

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