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ACT-F1M32B-100F14M 参数 Datasheet PDF下载

ACT-F1M32B-100F14M图片预览
型号: ACT-F1M32B-100F14M
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内容描述: ACT- F1M32高速32兆引导块闪存多芯片模块 [ACT-F1M32 High Speed 32 Megabit Boot Block FLASH Multichip Module]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 9 页 / 152 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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直流特性 - CMOS兼容
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ,V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V ( 5V操作) ,或+ 3.0V至+ 3.6V ( 3.3V操作) ,除另有规定外)
+3.3V V
CC
(1)
参数
V
PP
深度掉电电流
V
PP
读电流
V
PP
写入电流
符号
I
PPD
I
PPR
I
PPW
1
I
PPW
2
V
PP
擦除电流
I
PPE
1
I
PPE
2
V
PP
擦除挂起电流
RP引导块解锁电流
输出低电压
输出高电压
I
PPES
I
RP
V
OL
V
OH
1
V
OH
2
V
PP
锁定电压
V
PP
(编程/擦除操作)
V
PP
(编程/擦除操作)
V
CC
擦/写锁电压
RP解锁电压
V
PPLK
V
PPH
1
V
PPH
2
V
LKO
V
HH
RP = GND ±0.2V
V
PP
& GT ; V
PPH
2
V
PP
= V
PPH
1
(在5V ) ,字写在进步( X32 )
V
PP
= V
PPH
2
(在12V ) ,字写在进步( X32 )
V
PP
= V
PPH
1
(在5V ) ,块擦除进展
V
PP
= V
PPH
2
(在12V ) ,块擦除进展
V
PP
= V
PPH
,
块擦除挂起进展
RP = V
HH
, V
PP
= 12V
V
CC
= V
CC
分钟,我
OL
= 5.8毫安( 5V ) ,2个硕士( 3.3V )
V
CC
= V
CC
分钟,我
OH
= -2.5毫安
V
CC
= V
CC
分钟,我
OH
= -100 µA
完整的写保护
V
PP
= 5V时
V
PP
= 12V时
锁定状态
引导块写入/擦除,V
PP
= 12V
0.85 x
V
CC
V
CC
-
0.4V
0.0
4.5
11.4
0
11.4
1.5
5.5
12.6
2.0
12.6
条件
典型
最大
40
800
120
100
120
100
800
2
0.45
+5.0V V
CC
标准
最大
40
800
120
100
100
80
800
2
0.45
0.85 x
V
CC
V
CC
-
0.4V
0.0
4.5
11.4
0
11.4
1.5
5.5
12.6
2.0
12.6
µA
µA
mA
mA
mA
mA
µA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
单位
注意事项:
在V 1.性能
CC
= + 4.5V至+ 5.5V的保证。在V性能
CC
= + 3.3V是典型的(未测试) 。
AC特征 - 写/擦除/编程操作 - 我们控制
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ,V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V ( 5V操作) ,或+ 3.0V至+ 3.6V ( 3.3V操作) ,除另有规定外)
符号
参数
JEDEC
标准
t
AVAV
t
PHWL
t
ELWL
t
PHHWH
t
VPWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WLWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHEH
t
WHWL
t
WHQV
1
t
WHQV
2
t
WHQV
3
t
WHQV
4
+3.3V V
CC
典型
120nS
最小最大
120
1.5
0
200
200
90
70
90
0
0
0
30
6
0.3
0.3
0.6
0
0
(2)
+ 4.5V至+ 5.5V的V
CC
80nS
最小最大
80
.45
0
100
100
60
60
60
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100nS
最小最大
100
.45
0
100
100
60
60
60
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100
100
120nS
最小最大
120
.45
0
100
100
60
60
60
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100
nS
µS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
µS
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
nS
nS
nS
单位
写周期时间
RP高价回收到我们要低
CE安装到我们要低
引导块解锁安装到我们要高
(1)
V
PP
安装程序我们要高
(1)
地址设置到我们要高
数据建立到我们要高
WE脉冲宽度
数据保持时间从WE高
我们从高地址保持时间
我们从高CE保持时间
WE脉冲宽度高
的字写操作的持续时间
(1)
(x32)
擦除操作(启动)的持续时间
(1)
擦除操作的持续时间(参数)
(1)
擦除操作的持续时间(主)
(1)
V
PP
从有效SRD举行
(1)
RP V
HH
从有效SRD举行
(1)
引导块锁定延迟
(1)
t
QVVL
t
QVPH
t
PHBR
200
注意事项:
1.由设计保证,未经测试。
在V 2.性能
CC
= + 4.5V至+ 5.5V的保证。在V性能
CC
= + 3.3V是典型的(未测试) 。
艾法斯电路技术
4
SCD1661B REV A 97年1月16日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700