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ACT-F1M32B-120F14T 参数 Datasheet PDF下载

ACT-F1M32B-120F14T图片预览
型号: ACT-F1M32B-120F14T
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内容描述: ACT- F1M32高速32兆引导块闪存多芯片模块 [ACT-F1M32 High Speed 32 Megabit Boot Block FLASH Multichip Module]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 9 页 / 152 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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ACT- F1M32高速32兆
BOOT BLOCK
闪存多芯片模块
特点
www.aeroflex.com/act1.htm
s
s
s
s
s
电路科技
s
在一个4低电压/功率的英特尔1M ×8的FLASH模
MCM封装
s
整体配置1M ×32
s
+ 5V工作电压(标准)或+ 3.3V (咨询工厂)
s
80 , 100和120 ns访问时间( 5V V
CC
)
s
+ 5V或+ 12V编程
s
擦除/编程周期
q
100000商业
q
000名军事和工业
s
部门架构(每个模具)
q
一个16K受保护的引导块(底
BOOT BLOCK
标准,顶部引导块特殊订货)
q
两个8K参数块
q
一个96K主座
q
七128K主块
单块擦除(设置为1的所有位)
硬件数据保护功能
独立的引导块锁定
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
包装 - 密封陶瓷
q
68铅, 0.94" X 0.94" X 0.180"双腔小
大纲鸥翼,艾法斯代码# "F14"
(滴进
68引脚JEDEC .99"SQ CQFJ足迹)
s
内部去耦电容的低噪声
手术
s
商用,工业和军用温度
范围
框图 - CQFP ( F14 )
标准CON组fi guration
CE
1
WP
WE
OE
A
0
A
19
RP
1Mx8
1Mx8
1Mx8
1Mx8
CE
2
CE
3
引脚说明
I / O
0-31
CE
4
A
0–19
WE
CE
1-4
OE
WP
RP
V
CC
数据I / O
地址输入
写入启用
芯片使
OUTPUT ENABLE
写保护
复位/掉电
电源
没有连接
概述
利用英特尔的SmartVoltage
BOOT BLOCK FLASH MEMORY
SmartDie ™, ACT- F1M32是
高速, 32兆位的CMOS
闪光灯多芯片模块(MCM)
专为全温度
范围内的军事,空间,或高
可靠性的应用。
在ACT- F1M32由
四个高性能的英特尔
X28F800BV 8兆位( 8,388,608
位)内存芯片。每个死
包含单独擦除
块,包括一个硬件
上锁的引导块( 16,384
字节),两个参数块
(每8,192个字节) ,和8个主
的98,304块(1块
字节和7块
131,072字节),它定义了
BOOT
FL灰
家庭
体系结构。
命令寄存器是
写的把我们给一个逻辑
低电平(V
IL
),而CE是低
和OE为高电平(V
IH
)
。阅读是
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
框图 - CQFP ( F14 )
可选CON组fi guration
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
RP
OE
A
0
A
19
引脚说明
I / O
0-31
A
0–19
WE
1-4
CE
1-4
OE
1Mx8
1Mx8
1Mx8
1Mx8
RP
V
CC
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使
OUTPUT ENABLE
复位/掉电
电源
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块© SCD1661B REV A 97年1月16日