ACT- F512K32高速
16兆位闪存多芯片模块
电路科技
特点
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4低功耗512K ×8 FLASH死在一个MCM
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包
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TTL兼容输入和CMOS输出
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访问时间60 , 70 , 90 , 120和为150ns
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+ 5V编程, 5V ±10 %电源
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10万次擦除/编程
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低待机电流
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页编程操作和内部程序
控制时间
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部门架构(每个模具)
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每个64K字节等于8扇区大小
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任何部门的结合可以被删除
一个命令序列
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支持整片擦除
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嵌入式擦除和编程算法
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MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
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工业标准管脚引出线
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包装 - 密封陶瓷
68铅, 0.88" X 0.88" X 0.160"单腔小
外形鸥翼,艾法斯代码# "F5"
(滴进
68引脚JEDEC .99"SQ CQFJ足迹)
●
66引脚, 1.08" X 1.08" X 0.160" PGA类型,没有
肩,艾法斯代码# "P3"
●
66引脚, 1.08" X 1.08" X 0.185" PGA型,
肩,艾法斯代码# "P7"
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内部去耦电容的低噪声
手术
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商用,工业和军用温度
范围
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DESC SMD # 5962-94612
发布( P3 , P7 , F5 )
●
框图 - PGA型封装( P3 , P7 ) & CQFP ( F5 )
概述
在ACT - F512K32是高
速度快, 16兆位的CMOS闪光灯
多芯片
模块
( MCM )
专为全温度
范围内的军事,空间,或高
可靠性的应用。
所述MCM可以组织
为512K X 32位, 1M X 16位
或2米x 8位器件和输入
TTL
和
产量
CMOS
兼容。
该
命令
寄存器写的是使
WE为逻辑低电平(Ⅴ
IL
),
而CE为低, OE是
逻辑高电平(Ⅴ
IH
)
。阅读是
通过芯片来完成启用
( CE)和输出使能( OE )
逻辑上活跃的,看
图9.存取时间成绩
为60ns , 70ns的,为90ns , 120ns的和
为150ns最大为标准。
该
ACT–F512K32
is
包装在气密
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
OE
A
0
–
A
18
512Kx8
512Kx8
512Kx8
512Kx8
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
引脚说明
I / O
0-31
数据I / O
A
0–18
地址输入
WE
1-4
写入启用
CE
1-4
OE
V
CC
GND
NC
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块© SCD1665 REV B 01年6月29日