它的控制寄存器结构，改变内存
内容只出现成功完成spe-后
cific多总线周期的命令序列。
该器件还集成了多项功能以防止
从Vcc电导致意外的写入周期，
省电转变或系统噪声。
低V
cc
写禁止
以避免在Vcc的电的写周期开始
和断电，写周期被锁定为V
CC
少
超过3.2V （典型3.7V ） 。如果V
CC
＆ LT ; V
LKO
时，该命令
寄存器被禁止，所有内部程序/擦除税务局局长
cuits被禁用。在这种情况下设备会
复位到读模式。后续写入将被忽略
直到Vcc电平大于V
LKO
。它是用户
责任确保控制管脚逻辑
正确，以防止无意识当Vcc以上
3.2V.
rithm操作差点被完成时，数据引脚
(D
7
）改变异步地同时输出使能
（ OE ）为低电平。这意味着该设备是driv-
荷兰国际集团D上的状态信息
7
在时间的一个实例，并
那么该字节的，在未来的时间即时有效数据。
根据系统的样本为D时，上
7
输出，
它可以读取的状态或有效数据。即使设备
已完成内部算法运算和D
7
有
有效数据，在D中的数据输出
0
- D
6
可能仍
无效的。在D0有效数据 - D
7
将被读取的suc-
cessive阅读的尝试。数据轮询功能仅
编程算法在主动，擦除algo-
rithm ，或扇区擦除超时。
参见图6和10的数据轮询规格。
D
6
切换位
在ACT- F512K8还采用了"Toggle Bit"作为
方法，以指示主机系统，该系统的算法是
正在进行或已完成。
在编程或擦除算法周期，连续
尝试从设备将导致在D中读出的数据
6
1和0之间切换。一旦程序或
擦除算法循环完成，D-
6
将停止切换
而有效的数据将被读取的连续尝试。能很好地协同
荷兰国际集团的编程切换位后上涨有效
第四WE脉冲的四个写入脉冲边沿
序列。对于芯片擦除切换位后有效
第六上升沿
WE
脉冲中的六个写脉冲
序列。对于扇区擦除，之后触发位是有效的
扇区擦除的最后一个上升沿
WE
脉搏。该
触发位是在部门超时活跃。
参见图1和图5 。
写脉冲扰动保护
小于5ns的（典型值）的OE ， CE或WE脉冲噪声
不会启动写周期。
逻辑INHIBIT
写作是由持有OE = V禁止任何人
IL
，CE =
V
IH
或WE = V
IH
。要启动一个写周期CE和WE
必须是逻辑零，而OE是一个合乎逻辑的。
上电时禁止写入
上电设备与WE = CE = V
IL
和OE =
V
IH
将不接受WE的上升沿命令。
内部状态机自动复位到
读的上电模式。
D
5
超过时间限制
D
5
将指示编程或擦除时间有
超出指定限制。在这些条件下
D
5
会产生"1".编程或擦除周期为
没有成功完成。数据轮询是唯一的
在此条件下该装置的操作功能。
在CE电路将部分权力下下来器件
这些条件由约2 mA 。在OE和
WE引脚控制输出禁止功能
表1所示为复位器件，写复位
指令序列的装置。这允许系
TEM继续使用，在其他活动领域
装置。
写操作状态
D
7
数据轮询
在ACT- F512K8功能数据轮询的方法
指示该内部算法是在宿主中
进度或完成。在程序算法，一个
尝试读取设备会产生恭维数据
最后写入到D的数据
7
。在擦除算法，
试图读取该装置将产生一个"0"在D
7
输出。当擦除算法的完成
尝试读取设备将产生一个"1"在D
7
输出。
对于芯片擦除，数据轮询后是上升的有效
第六WE脉冲的六个写入脉冲边沿
序列。对于扇区擦除，之后的数据查询是有效的
扇区擦除WE脉冲的最后一个上升沿。数据
轮询必须在内的任何一个扇区地址来执行
该部门被删除，而不是一个受保护的部门。
否则，该状态可能是无效的。一旦algo-
艾法斯电路技术
D
3
扇区擦除定时器
在完成初始扇区擦除命令后
测序扇区擦除超时将开始。 ð
3
将
保持低电平，直到超时完成。数据轮询
和切换位是初始扇区擦除的COM后有效
命令序列。
7
SCD1668 REV A 98年4月28日
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