ACT- F512K8高速
4兆位单片闪存
电路科技
特点
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www.aeroflex.com
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低功耗单片512K ×8 FLASH
TTL兼容输入和CMOS输出
访问时间60 ， 70 ， 90 ， 120和为150ns
+ 5V编程， 5V
±10%
供应
10万次擦除/编程
低待机电流
页编程操作和内部
程序控制时间
支持整片擦除
嵌入式擦除和编程算法
支持整片擦除
MIL -PRF- 38534标准可用电路
工业标准管脚引出线
包装 - 密封陶瓷
32铅， 1.6" X 0.6" X 0.20"双列直插式封装（ DIP ） ，
艾法斯代码＃ "P4"
q
32铅， 0.82" X 0.41" X 0.11"陶瓷扁平封装
（ FP ） ，艾法斯代码＃ ＆ QUOT ; F6 ＆ QUOT ;
q
32铅， 0.82" X 0.41" X 0.132"陶瓷扁平封装
（ FP铅形成的） ，艾法斯代码＃ ＆ QUOT ; F7 ＆ QUOT ;
q
s
部门架构
每个64K字节等于8扇区大小
q
行业的C的任意组合
可以与一个被擦除
命令序列。
q
s
s
商业，工业及军事
温度范围
DESC SMD待定
5962-96692 （P4 ， F6，F7 ）
框图 - DIP （ P4 ） &扁平封装（ F6 ， F7 ）
CE
WE
OE
A
0
– A
18
VSS
512Kx8
VCC
8
I / O
0-7
引脚说明
I / O
0-7
数据I / O
概述
在ACT - F512K8是高
速度快， 4兆位CMOS
单片
FL灰
模块
专为全温度
范围内的军事，空间，或高
可靠性的应用。
此装置是输入TTL和
输出CMOS兼容。该
命令寄存器写的是
使WE为逻辑低电平
(V
IL
），而CE是低和OE为
在逻辑高电平（V
IH
)
。阅读
由芯片完成启用
（ CE）和输出使能（ OE ）
逻辑上活跃的，看
图9.存取时间成绩
为60ns ， 70ns的，为90ns ， 120ns的和
为150ns最大为标准。
该
ACT–F512K8
is
可用的
IN A
选择
A
0–18
地址输入
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块© SCD1668 REV A 98年4月28日
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
