ACT- S128K32高速
4兆位的SRAM多芯片模块
特点
■
4低功耗CMOS 128K ×8的SRAM在一个MCM
■
整体结构为128K ×32
■
输入和输出TTL兼容
■
17 , 20 , 25 , 35 , 45 & 55ns存取时间为15ns可通过特殊订单
■
整个军用( -55 ° C至+ 125°C )温度范围
■
+ 5V电源
■
选择7全密封共烧包:
●
68引脚,薄型CQFP ( F1 ) , 1.56"SQ X .140"max
●
68引脚,双腔CQFP ( F2 ) , .88"SQ X .20"max ( .18"max厚度
可用,请与工厂联系获取详细信息)
(落入68引脚JEDEC .99"SQ
CQFJ足迹)
●
68引脚,单腔CQFP ( F18 ) , .94"SQ X .140"max
(落入68
导致JEDEC .99"SQ CQFJ足迹)
●
66引脚, PGA型( P2 , P6有/无肩) , 1.185"SQ X .245"max
●
66引脚, PGA型( P7 , P3带/不带肩) , 1.08"SQ X .160"max
■
内部去耦电容
■
DESC SMD # 5962-93187发布( P2 , P3 , P6 , P7 )
电路科技
www.aeroflex.com
概述
在ACT - S128K32是高
速度4兆位CMOS SRAM
多芯片
模块
( MCM )
专为全温度
范围,军用,太空,或高
可靠性,大容量存储器和
快速缓存的应用程序。
所述MCM可以组织
作为一个128K ×32位, 256K ×16
位或512K ×8位的设备和
是输入和输出的TTL
兼容。在执行写
当写使能(WE )
和芯片使能( CE )输入是
低。读完成
当我们高, CE和
输出使能(OE )都
低。访问时间等级
为17ns , 20ns的,为25ns , 35ns的,为45nS
和55ns最大的是
标准。
+5伏电源
版本是标准的
3.3伏的低功耗模式
可用(参见ACT- S128K32V
数据表) 。
该产品被设计为
工作在温度
范围为-55 ° C至+ 125 ° C和
在整个军用屏蔽
环境。 DESC标准
军事图纸( SMD )的一部分
号被释放,并
可用。
该
ACT-S128K32
is
在Aeroflex的制造
80,000ft
2
MIL-PRF-38534
在Plainview的认证机构,
纽约州
5962-95595发布(F1 , F2 , F18 )
框图 - PGA型封装( P2 , P7 ) & CQFP ( F2 , F18 )
引脚说明
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
I / O
0-31
A
0
– A
16
OE
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
A
0–16
WE
1–4
CE
1–4
OE
V
cc
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写入启用
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图 - CQFP ( F1 )
引脚说明
CE
1
WE
OE
A
0
– A
16
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
CE
2
CE
3
CE
4
I / O
0-31
A
0–16
WE
CE
1–4
OE
V
cc
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块© SCD1659 REV ê 01年5月21日