ACT- S128K32高速
4兆位的SRAM多芯片模块
特点
■
4低功耗CMOS 128K ×8的SRAM在一个MCM
■
整体结构为128K ×32
■
输入和输出TTL兼容
■
17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 & 55ns存取时间为15ns可通过特殊订单
■
整个军用（ -55 ° C至+ 125°C ）温度范围
■
+ 5V电源
■
选择7全密封共烧包：
●
68引脚，薄型CQFP （ F1 ） ， 1.56"SQ X .140"max
●
68引脚，双腔CQFP （ F2 ） ， .88"SQ X .20"max （ .18"max厚度
可用，请与工厂联系获取详细信息）
（落入68引脚JEDEC .99"SQ
CQFJ足迹）
●
68引脚，单腔CQFP （ F18 ） ， .94"SQ X .140"max
（落入68
导致JEDEC .99"SQ CQFJ足迹）
●
66引脚， PGA型（ P2 ， P6有/无肩） ， 1.185"SQ X .245"max
●
66引脚， PGA型（ P7 ， P3带/不带肩） ， 1.08"SQ X .160"max
■
内部去耦电容
■
DESC SMD ＃ 5962-93187发布（ P2 ， P3 ， P6 ， P7 ）
电路科技
www.aeroflex.com
概述
在ACT - S128K32是高
速度4兆位CMOS SRAM
多芯片
模块
（ MCM ）
专为全温度
范围，军用，太空，或高
可靠性，大容量存储器和
快速缓存的应用程序。
所述MCM可以组织
作为一个128K ×32位， 256K ×16
位或512K ×8位的设备和
是输入和输出的TTL
兼容。在执行写
当写使能（WE ）
和芯片使能（ CE ）输入是
低。读完成
当我们高， CE和
输出使能（OE ）都
低。访问时间等级
为17ns ， 20ns的，为25ns ， 35ns的，为45nS
和55ns最大的是
标准。
+5伏电源
版本是标准的
3.3伏的低功耗模式
可用（参见ACT- S128K32V
数据表） 。
该产品被设计为
工作在温度
范围为-55 ° C至+ 125 ° C和
在整个军用屏蔽
环境。 DESC标准
军事图纸（ SMD ）的一部分
号被释放，并
可用。
该
ACT-S128K32
is
在Aeroflex的制造
80,000ft
2
MIL-PRF-38534
在Plainview的认证机构，
纽约州
5962-95595发布（F1 ， F2 ， F18 ）
框图 - PGA型封装（ P2 ， P7 ） & CQFP （ F2 ， F18 ）
引脚说明
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
I / O
0-31
A
0
– A
16
OE
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
A
0–16
WE
1–4
CE
1–4
OE
V
cc
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写入启用
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图 - CQFP （ F1 ）
引脚说明
CE
1
WE
OE
A
0
– A
16
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
CE
2
CE
3
CE
4
I / O
0-31
A
0–16
WE
CE
1–4
OE
V
cc
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块© SCD1659 REV ê 01年5月21日
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