ACT- S512K32V高速3.3Volt
16兆位的SRAM多芯片模块
特点
4低功耗CMOS 512K ×8的SRAM在一个MCM
s
整体结构为512K ×32
s
输入和输出TTL兼容
s
17 ， 20 ， 25 ， 35 &为45nS访问时间为15ns可通过
特别订做
s
整个军用（ -55 ° C至+ 125°C ）温度范围
s
+ 3.3V电源
s
选择表面贴装或PGA型共烧包：
s
www.aeroflex.com/act1.htm
电路科技
概述
在ACT - S512K32V是高
速度4兆位CMOS SRAM
多芯片
模块
（ MCM ）
专为全温度
范围， 3.3V电源，
军事，空间，或高可靠性
大容量存储和快速缓存
应用程序。
所述MCM可以组织
为512K ×32位， 1M ×16
位或2M ×8位的装置，是
输入
和
产量
TTL
兼容。在执行写
当写使能（WE ）
和芯片使能（ CE ）输入是
低。读完成
当我们高， CE和
输出使能（OE ）都
低。访问时间等级
为17ns ， 20ns的，为25ns ， 35ns的和
为45nS最大的是标准。
该产品被设计为
工作在温度
范围为-55 ° C至+ 125 ° C和
在整个军用屏蔽
环境。 DESC标准
军事图纸（ SMD ）的一部分
数字仍在进行中。
该
ACT-S512K32V
is
在Aeroflex的制造
80,000ft
2
MIL-PRF-38534
在Plainview的认证机构，
纽约州
68引脚，双腔CQFP （ F2 ） ， .88"SQ X .20"max （ .18"max
厚度可用，请与工厂联系获取详细信息）
（落入
68引脚JEDEC .99"SQ CQFJ足迹）
q
66引脚， PGA型（ P1 ） ， 1.38"SQ X .245"max
q
66引脚， PGA型（ P7 ） ， 1.08"SQ X .185"max
q
内部去耦电容
s
DESC SMD ＃待定
s
框图 - PGA型封装（ P1 ， P7 ） & CQFP （ F2 ）
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
A
0
– A
18
OE
512Kx8
512Kx8
512Kx8
512Kx8
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
引脚说明
I / O
0-31
数据I / O
A
0–18
地址输入
WE
1–4
CE
1–4
OE
V
cc
GND
NC
写入启用
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块© SCD3360 REV B 98年12月17日
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
