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ACT-S512K32V-025P1M 参数 Datasheet PDF下载

ACT-S512K32V-025P1M图片预览
型号: ACT-S512K32V-025P1M
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内容描述: ACT- S512K32V高速3.3Volt 16兆位的SRAM多芯片模块 [ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 172 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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AC特性
(V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V ,TC = -55 ° C至+ 125°C )
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
芯片使能到输出低Z *
输出使能到输出低Z *
芯片取消选择到输出高Z *
输出禁止到输出高Z *
符号
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OH
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
3
0
8
8
0
9
3
0
8
8
–020
–017
最小值最大值最小值最大值
17
17
17
0
10
3
0
10
10
20
20
20
0
12
3
0
15
15
–025
–035
–045
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
25
25
25
0
25
3
0
15
15
35
35
35
0
35
45
45
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数保证了设计,但没有测试
写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
输出有源,从写结束*
写入输出高Z *
从时间写数据保持
地址保持时间
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
OW
t
WHZ
t
DH
t
AH
0
0
–017
最小最大
17
15
15
12
13
0
0
8
0
1
–020
–025
–035
–045
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
20
15
15
12
13
0
0
11
0
2
25
20
20
15
15
0
0
13
0
2
35
30
30
20
25
0
0
15
0
2
45
35
35
30
35
0
0
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数保证了设计,但没有测试
真值表
模式
待机
CE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机(取消/省电)
活跃
主动(未选中)
活跃
Aeroflex公司电路技术ACT- S512K32V
3
SCD3360 REV B 98年12月17日纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700