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ACT-S512K8N-017P4I 参数 Datasheet PDF下载

ACT-S512K8N-017P4I图片预览
型号: ACT-S512K8N-017P4I
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内容描述: ACT- S512K8高速4兆位单片SRAM [ACT-S512K8 High Speed 4 Megabit Monolithic SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 86 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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时序图
读周期时序图
读周期1 ( CE = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
A
0-18
t
AA
t
OH
D
I / O
以前的数据有效
数据有效
CE
t
AS
WE
S
EE
N
OTE
写周期时序图
写周期1 (我们控制, OE = V
IL
)
t
WC
A
0-16
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
S
EE
N
OTE
t
OW
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
D
I / O
读周期2 (WE = V
IH
)
t
RC
A
0-18
t
AA
CE
t
ACS
t
CLZ
S
EE
N
OTE
写周期2 ( CE控制, OE = V
IH
)
t
WC
A
0-18
t
AW
t
CHZ
S
EE
N
OTE
t
AH
t
CW
t
AS
CE
OE
t
WP
t
OE
t
OLZ
S
EE
N
OTE
t
OHZ
S
EE
N
OTE
WE
t
DW
D
I / O
数据有效
t
DH
D
I / O
高Z
数据有效
未定义
不在乎
注:由设计保证,但未经测试。
AC测试电路
电流源
I
OL
参数
为了测试设备
C
L
=
50 pF的
I
OH
电流源
V
Z
〜 1.5 V(双极性电源供电)
典型
0 – 3.0
5
1.5
单位
V
ns
V
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出时序参考电平
注意事项:
1) V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。 2 )I
OL
OH
可编程从0到16毫安。 3 )阻抗测试仪
Z
O
= 75
Ω. 4)
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
. 5) I
OL
OH
被调整,以模拟典型的电阻
负载电路。 6 ) ATE测试仪包括夹具电容。
艾法斯电路技术
4
SCD1664 REV C 00年5月10日
纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700