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ACT-S512K8N-020P4I 参数 Datasheet PDF下载

ACT-S512K8N-020P4I图片预览
型号: ACT-S512K8N-020P4I
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内容描述: ACT- S512K8高速4兆位单片SRAM [ACT-S512K8 High Speed 4 Megabit Monolithic SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 86 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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ACT- S512K8高速
4兆位单片SRAM
特点
低功耗单芯片CMOS 512K ×8 SRAM
I
整个军用( -55 ° C至+ 125°C )温度范围
I
输入和输出TTL兼容设计
I
快速17,20,25,35,45 & 55ns最大访问时间
I
+ 5V电源
I
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
I
工业标准管脚引出线
I
包装 - 密封陶瓷
I
电路科技
www.aeroflex.com
概述
在ACT - S512K8是高
速度快, 4兆位CMOS
单片SRAM设计
整个温度范围内的军事,
空间,或高可靠性的质量
内存和快速缓存
应用程序。
MCM的输入和输出
TTL兼容。写作
当被执行时的写
使能(WE )和芯片使能
(CE)输入为低,输出
使能(OE )为高。阅读是
完成时,我们会为高
和CE和OE都很低。
访问时间为17ns级别的,
为20ns , 25ns的,为35ns ,为45nS和
55ns最大的是标准。
+5伏电源
版本是标准3.3
伏的低功耗模式是一种
未来的可选产品。
该产品被设计
手术
过度
-55 ℃的温度范围内
+ 125 ℃,并在满
军事环境。一个DESC
标准军事
( SMD)的号码被释放。
ACT-S512K8
is
在Aeroflex的制造
80,000
MIL-PRF-38534
认证
工厂在平景镇,纽约州
36铅, 0.92" X 0.51" X 0.13"扁平封装( FP ) ,艾法斯代码# "F3"
G
36铅, 0.92" X 0.43" X 0.184"小外形J引线( CSOJ )
艾法斯代码# "F4"
( 0.155 MAX厚度可用,请与工厂联系获取详细信息)
G
32铅, 1.6" X 0.60" X 0.20"双列直插式( DIP ) ,艾法斯代码# "P4"
G
I
DESC SMD # 5962-95613发布( F3 , F4 , P4 )
框图 - 扁平封装( F3 , F16 ) , DIP ( P4 ) & CSOJ ( F4 )
CE
WE
OE
A
0
– A
18
V
ss
V
cc
512Kx8
8
I / O
0-7
引脚说明
I / O
0-7
A
0–18
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块© SCD1664 REV C 00年5月10日