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ACT-S512K8N-055P4T 参数 Datasheet PDF下载

ACT-S512K8N-055P4T图片预览
型号: ACT-S512K8N-055P4T
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内容描述: ACT- S512K8高速4兆位单片SRAM [ACT-S512K8 High Speed 4 Megabit Monolithic SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 86 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ,TC = -55 ° C至+ 125°C )
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
片选到输出低Z( 1 )
输出使能到输出低Z( 1 )
芯片取消选择到输出高Z( 1 )
输出禁止到输出高Z( 1 )
注1:由设计保证,但未经测试
符号
–017
–020
–025
–035
–045
–055
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
17
-
-
0
-
2
0
-
-
-
17
17
-
9
-
-
9
9
20
-
-
0
-
2
0
-
-
-
20
20
-
10
-
-
10
10
25
-
-
0
-
2
0
-
-
-
25
25
-
12
-
-
12
12
35
-
-
0
-
4
0
-
-
-
35
35
-
25
-
-
15
15
4
0
-
-
45
-
-
0
-
45
45
-
25
-
-
20
20
4
0
-
-
55
-
-
0
-
55
55
-
25
-
-
20
20
单位
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OH
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动( 1 )
写入输出高Z( 1 )
从时间写数据保持
注1:由设计保证,但未经测试
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
t
WHZ
t
DH
–017
–020
–025
–035
–045
–055
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
17
15
15
12
14
2
0
0
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
20
15
15
12
14
2
0
0
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
9
-
25
20
20
15
15
2
0
0
-
0
10
-
-
-
-
-
-
-
-
35
25
25
20
25
2
0
0
-
0
15
-
-
-
-
-
-
-
-
45
35
35
25
35
2
5
5
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
55
50
50
25
40
2
5
5
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持电气特性(仅特殊订货)
(TC = -55 ° C至+ 125°C )
测试条件
CE
V
CC
– 0.2V
V
CC
= 3V
参数
V
CC
数据保留
符号
V
DR
所有速度
典型值
最大
2
-
-
0.5
5.5
7.0
单位
V
mA
数据保持电流( 1 )I
CCDR1
可在低功耗版本。来电索取资料。
真值表
模式
待机
输出禁用
艾法斯电路技术
CE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
3
动力
待机(取消/省电)
活跃
主动(未选中)
活跃
SCD1664 REV C 00年5月10日
纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700