绝对最大额定值
符号
T
C
T
英镑
V
G
T
L
参数
闪存数据保留
闪存耐久性（写入/擦除周期）
10年
10,000
工作温度
储存温度
最大信号电压对地
最大焊接温度（ 10秒）
等级
范围
-55到+125
-65到+150
-0.5到+7
300
单位
°C
°C
V
°C
正常工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
最低
+4.5
+2.2
-0.5
最大
+5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
电容
(V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，T
C
= 25°C
)
符号参数
C
AD
C
OE
C
WE
1-4
C
CE
C
I
/
O
A
0
–
A
18
电容
OE电容
F / S写使能电容
F / S芯片使能电容
I / O
0
- I / O
31
电容
最大
80
80
30
50
30
单位
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
条件
V
CC
=最大，V
IN
= 0至V
CC
FCE = SCE = V
IH
， OE = V
IH ，
V
OUT
= 0至V
CC
民
最大单位
10
10
550
80
0.4
2.4
220
280
0.45
0.85× V
CC
3.2
4.2
µA
µA
mA
mA
V
V
mA
mA
V
V
V
SRAM的工作电源电流×32 ×32我SCE = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
=
CC
马克斯， FCE = V
IH
模式
待机电流
SRAM输出低电压
SRAM输出高电压
闪光的Vcc工作电流为读（ 1 ）
闪光的Vcc工作电流为计划
或擦除（ 2 ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
闪存VCC低于上锁电压
I
SB
V
OL
V
OH
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH1
V
LKO
FCE = SCE = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
=最大
I
OL
= 8毫安， V
CC
=最小值， FCE = V
IH
I
OH
= -4.0毫安， V
CC
=最小值， FCE = V
IH
FCE = V
IL
， OE = V
IH
， SCE = V
IH
FCE = V
IL
， OE = V
IH
， SCE = V
IH
I
OL
= 12 mA时， V
CC
=最小， SCE = V
IH
I
OH
= -2.5毫安， V
CC
=最小， SCE = V
IH
注： 1）我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5MHz ）的频率依赖分量。该
频率分量通常是不大于2mA /兆赫，使用OE在V
IH
2) I
CC
积极而嵌入式Algorithim （程序或
擦除）正在进行3）的直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
艾法斯电路技术
2
SCD3850 REV A 98年5月20日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
