电路科技
订购信息
型号
ACT-SF41632N–26P1X
ACT-SF41632N–37P1X
ACT-SF41632N–39P1X
ACT-SF41632N–26F2X
ACT-SF41632N–37F2X
ACT-SF41632N–39F2X
注： （ S） =速度SRAM ， （ F） =速度FLASH
DESC型号
待定
待定
待定
待定
待定
待定
速度
25 （S ） / 60 （ F） NS
35 （S ） / 70 （ F） NS
35 （S ） / 90 （ F） NS
25 （S ） / 60 （ F） NS
35 （S ） / 70 （ F） NS
35 （S ） / 90 （ F） NS
包
1.385"sq PGA型
1.385"sq PGA型
1.385"sq PGA型
.88"sq CQFP
.88"sq CQFP
.88"sq CQFP
产品型号明细
ACT- SF 416 32 26 N- P1 M
艾法斯电路
技术
内存类型
SF = SRAM闪存组合模块
存储深度，位置
4 = 4M SRAM ， 16 = 16M闪存
内存宽度，位
引脚配置选项
N =无
筛选
C =商用温度0 ° C至+ 70°C
I =工业级温度-40 ° C至+ 85°C
T =军用温度， -55 ° C至+ 125°C
M =军用温度， -55 ° C至+ 125°C屏蔽
*
Q = MIL - PRF- 38534标准/ SMD
封装类型&规格
表面贴装封装
F2 = 0.88"SQ 68商机双腔CQFP
通孔封装
P1 = 1.385"SQ PGA 66引脚W /肩
P5 = 1.385"SQ PGA 66引脚WO /肩
显存速度（代码）
26 = 25ns的SRAM & 60ns的FLASH
37 = 35ns的SRAM &为70ns闪存
39 = 35ns的SRAM &为90ns闪存
*
筛选，以MIL -STD- 883的单项测试方法
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
艾法斯电路技术
35南服务路
Plainview的纽约11830
艾法斯电路技术
电话： （ 516 ） 694-6700
传真：
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11
SCD3851 REV A 98年5月21日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
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