ACT- SF41632高速
128Kx32 SRAM /闪存512Kx32
多芯片模块
电路科技
特点
4 - 128K ×8的SRAM & 4 - 512K ×8的Flash死亡
一个MCM
s
的为25ns , 35ns的( SRAM ),访问时间和
为60ns , 70ns的,为90ns (闪存)
s
组织为128K x和32的SRAM 512K ×32
闪存与公共数据总线的
s
低功耗CMOS
s
输入和输出TTL兼容设计
s
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
s
去耦电容和多理由
低噪音
s
商用,工业和军用温度
范围
s
工业标准管脚引出线
s
TTL兼容的输入和输出
s
包装 - 密封陶瓷
q
66引脚, PGA型, 1.385"SQ X 0.245"max ,
艾法斯代码# "P1 , P5有/无肩) "
q
68引脚,双腔CQFP ( F2 ) , 0.88"SQ X
.20"max ( 0.18最大厚度可用,请联系
工厂的详细信息)
(落入68引脚
JEDEC .99"SQ CQFJ足迹)
s
s
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FLASH内存功能
部门架构(每个模具)
q
每个64K字节等于8部门
q
任何部门的结合可以被删除
一个命令序列。
s
+ 5V编程, + 5V电源
s
嵌入式擦除和编程算法
s
硬件和软件写保护
s
页编程操作和内部程序
控制时间。
s
万次擦除/编程
A E
RO
F
LE
X
LA
B
S
I
NC
.
C
ISO
9001
E
RT
I
F
I
E
D
框图 - PGA型封装( P1 & P5 ) & CQFP ( F2 )
FWE
1
SWE
1
OE
A
0
–A
18
SCE
FCE
FWE
2
SWE
2
FWE
3
SWE
3
FWE
4
SWE
4
引脚说明
I / O
0-31
A
0–18
FWE
1-4
数据I / O
地址输入
闪存写入启用
SWE
1-4
SRAM写入启用
512K
X
8 F
LASH
128K
X
8 SRAM
512K
X
8 F
LASH
128K
X
8 SRAM
512K
X
8 F
LASH
128K
X
8 SRAM
512K
X
8 F
LASH
128K
X
8 SRAM
FCE
SCE
OE
NC
V
CC
GND
闪存芯片使能
SRAM芯片使能
OUTPUT ENABLE
没有连接
电源
地
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块© SCD3851 REV A 98年5月21日