ACT- SF512K16高速
512Kx16 SRAM /闪存多芯片模块
电路科技
特点
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s
包装 - 密封陶瓷
s
2 - 512K ×8的SRAM & 2 - 512K ×8的Flash死亡
一个MCM
s
25ns的( SRAM)和60ns的存取时间(闪存)
or
为35ns ( SRAM )和70或为90ns (闪存)
s
512K ×16的SRAM
s
512K ×16的5V闪存
s
组织为512K x和16的SRAM 512K ×16的
闪存有独立的数据总线
s
内存这两个模块是用户可配置的
1M ×8
s
低功耗CMOS
s
输入和输出TTL兼容设计
s
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
s
去耦电容和多种理由为低
噪音
s
工业和军用温度范围
s
工业标准管脚引出线
注:可根据要求编程信息
66引脚, 1.08" X 1.08" X 0.160" PGA型,无肩,
艾法斯代码# "P3"
q
66引脚, 1.08" X 1.08" X 0.185" PGA型,
肩,艾法斯代码# "P7"
q
68铅, 0.94" X 0.94" X 0.140"单腔小
大纲鸥翼,艾法斯代码# "F18"
(滴进
68引脚JEDEC .99"SQ CQFJ足迹)
s
DESC SMD待定 - 5962-96901
q
FLASH内存功能
s
部门架构(每个模具)
s
s
s
s
s
每个64K字节等于行业
q
扇区的任何组合可以与一个被擦除
命令序列。
+ 5V编程, 5V ±10 %电源
嵌入式擦除和编程算法
硬件和软件写保护
内部控制程序的时间。
万次擦除/编程
q
8
框图 - PGA型封装( P3 & P7 ) & CQFP ( F18 )
引脚说明
SWE
1
SCE
1
SWE
2
SCE
2
FWE
1
FCE
1
FWE
2
FCE
2
FI / O
0-15
OE
A
0
–
A
18
512Kx8
SRAM
8
SI / O
0-7
512Kx8
SRAM
8
SI / O
8-15
512Kx8
FL灰
8
FI / O
0-7
512Kx8
FL灰
8
FI / O
8-15
SI / O
0-15
A
0–18
FWE
1-2
Flash数据的I / O
SRAM的数据I / O
地址输入
闪存写入启用
SWE
1-2
SRAM写入启用
FCE
1-2
SCE
1-2
OE
NC
V
CC
GND
闪存芯片使
SRAM芯片使
OUTPUT ENABLE
没有连接
电源
地
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块© SCD1663 REV A 98年4月28日