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ACT-SF512K32N-26P5Q 参数 Datasheet PDF下载

ACT-SF512K32N-26P5Q图片预览
型号: ACT-SF512K32N-26P5Q
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内容描述: ACT- SF512K32高速512Kx32 SRAM /闪存512Kx32多芯片模块 [ACT-SF512K32 High Speed 512Kx32 SRAM / 512Kx32 Flash Multichip Module]
分类和应用: 闪存内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 186 K
品牌: AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
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SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ,TC = -55 ° C至+ 125°C )
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
芯片在低Z选择输出*
输出使能到输出低Z *
芯片取消选择到输出高Z *
输出禁止到输出高Z *
*这些参数保证了设计,但没有测试
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
2
0
12
12
0
12
4
0
15
15
–025
最小最大
25
25
25
0
25
–035
最小最大
35
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
输出有源,从写结束*
写入输出高Z *
从时间写数据保持
地址保持时间
*这些参数保证了设计,但没有测试
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
OW
t
WHZ
t
DH
t
AH
0
0
–025
最小最大
25
17
17
13
17
2
4
13
0
0
–035
最小最大
35
25
25
20
25
2
4
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
真值表
模式
待机
输出禁用
SCE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
SWE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
艾法斯电路技术
3
SCD3852 REV A 98年5月20日
纽约州Plainview的( 516 ) 694-6700