概述，续
,
密封陶瓷封装;一
32铅0.82" X 0.41" X 0.125"扁平封装
双方形成或未成形的导线或32针
1.6 ＆ QUOT ; x.60 ＆ QUOT ; X.20 ＆ QUOT ; DIP封装的操作
在整个温度范围-55°C至
+125°C
和
军事
环境的
条件。
闪存存储器的组织结构
128Kx8
位，并设计成
在系统编程与标准
系统5.0V Vcc电源。一个12.0V V
PP
is
不需要用于写入或擦除操作。
该设备还可以与重编程
标准EPROM编程器（与
正确的插座） 。
标准的ACT- F128K8报价
为60ns和150ns的之间的存取时间，
允许
手术
of
快速
微处理器无需等待。对
消除总线争用，该设备具有
独立的芯片使能（ CE ） ，写使能
（WE）和输出使能（OE ）控制。该
ACT - F128K8的命令集兼容
符合JEDEC标准的1兆位的EEPROM 。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器
写时序。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，其
控制擦除和编程
电路。写周期也在内部锁存
所需要的地址和数据
编程和擦除操作。
读数据从器件中是类似
从12.0V Flash或EPROM读
设备。在ACT - F128K8编程
通过执行程序命令
序列。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部
算法，自动倍
编程脉冲宽度和验证正确
电池余量。典型地，每个扇区可
编程并在小于0.3核实
第二个。擦除由完成
执行擦除命令序列。
这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法
自动preprograms阵列， （如果
它尚未之前编程）
在执行擦除操作。中
擦除，设备会自动倍
擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
同时该设备拥有一个扇区擦除
架构。该部门模式允许
要擦除的存储器16K字节的块
和再编程，而不影响其他
块。在ACT - F128K8被删除时，
从工厂运出。
该器件采用5.0V单电源
用于读取和写入操作电源
功能。
lnternally
产生
和
提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
探测器
自动
抑制
写
操作上的功率损耗。年底
编程或擦除是通过检测数据
D7或通过触发位查询功能
D6 。一旦编程或擦除的结束
周期已经完成，该装置
内部复位到读模式。
每个管芯的所有位，或在所有的位
界的模具，通过将被删除
福勒 - Nordhiem隧道。字节
编程一个字节的时间进行热
电子注入。
一个DESC标准军事绘图
（ SMD ）数量待定。
艾法斯电路技术
2
SCD1676 REV A 98年5月6日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
