标准产品
UT28F256抗辐射32K ×8 PROM
数据表
2002年12月
特点
q
可编程，只读，异步，辐射
硬化， 32K ×8的内存
- 支持业界标准编程
q
为45nS和40ns的最大地址访问时间（ -55
o
C到
+125
o
C)
q
TTL兼容输入和TTL / CMOS兼容输出
水平
q
三态数据总线
q
较低的工作和待机电流
- 操作： 125毫安最大@ 25MHz的
•
降额： 3毫安/ MHz的
- 待机： 2毫安最大（后RAD ）
q
辐射加固工艺和设计;总剂量
辐射测试MIL- STD- 883 ，方法1019
-
-
-
总剂量： 1E6 RAD （SI ）
LET
TH
（0.25） 〜 100兆电子伏 - 厘米
2
/毫克
SEL免疫>128兆电子伏特厘米
2
/毫克
- 饱和截面厘米
2
每比特， 1.0E- 11
- 1.2E - 8错误/设备日，亚当斯90 ％的地球同步
重离子
-
存储单元的LET阈值： >128兆电子伏特厘米
2
/毫克
q
QML Q & V标准的一部分
- 交直流试验在工厂
q
封装选项：
- 28引脚50密耳中心扁平封装（ 0.490 X 0.74 ）
- 28引脚100密耳中心DIP （ 0.600 ×1.4 ） - 联系工厂
q
V
DD
： 5.0伏
+
10%
q
标准微电路图纸5962-96891
产品说明
该UT28F256非晶硅反熔丝PROM是一种高
性能，异步，辐射硬化型
32K ×8的可编程存储器。该UT28F256 PROM
拥有全台异步操作，无需外部时钟
或定时选通。先进的抗辐射双阱
CMOS工艺技术被用于实现UT28F256 。
辐射硬度，较快的访问时间，以及低的组合
功耗使UT28F256非常适合高速
系统在辐射环境设计的。
A(14:0)
解码器
内存
ARRAY
检测放大器
CE
PE
OE
程序设计
控制
逻辑
DQ （ 7 ： 0 ）
图1. PROM框图
1
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
