3.0抗辐射
该UT69RH051采用特殊的设计和布局功能
这让操作在高强度辐射环境中。
UTMC已经开发了特殊的低温处理
技术旨在提高总剂量辐射硬度
栅氧化物和场氧化物二者的同时保持了
抗辐射设计规范
1
总剂量
LET阈值
中子注量
饱和截面（ 1Kx8 ）
单粒子翻转
单事件闭锁
1
注意：
1.最坏情况温度T
A
= +125
°
C.
2.亚当斯90％的最恶劣情况下的环境（地球同步轨道） 。
电路密度和可靠性。对于瞬态抗辐射
和闭锁免疫力， UTMC生成所有抗辐射
采用了先进的双桶CMOS的外延片产品
流程。此外， UTMC特别注重动力和
在设计阶段地分布，最大限度地减少剂量
速度打乱铁路塌陷引起的。
1.0E6
20
1.0E14
1E-4
1.3E-7
LET>126
Rad公司（SI ）
兆电子伏特厘米
2
/毫克
牛顿/厘米
2
cm
2
/设备
错误/设备日
2
兆电子伏特厘米
2
/毫克
4.0绝对最大额定值
1
（参考V
SS
)
符号
V
DD
V
I / O
T
英镑
P
D
T
J
Θ
JC
I
I
参数
直流电源电压
任何引脚电压
储存温度
最大功率耗散
最高结温
热阻，结到外壳
2
DC输入电流
范围
-0.5 〜7.0
-0.5到V
DD
+0.3V
-65到+150
750
175
10
单位
V
V
°C
mW
°C
° C / W
mA
±
10
注意事项：
列出的绝对最大额定值之外1.强调可能会造成永久性损坏设备。这是一个压力装置的唯一的评级，并且功能操作
在超出本规范的业务部门所标明的限制，这些或任何其他条件，不推荐。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
每MIL -STD- 883 ，方法1012 2.测试。
7
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
