标准产品
UT7C138 / 139 4Kx8 / 9抗辐射
双口静态RAM与忙标志
数据表
2002年1月
特点
q
为45nS和55ns最大地址访问时间
q
异步操作与业界的兼容性
标准的4K X 8/9双口静态RAM
q
CMOS兼容输入， TTL / CMOS兼容输出
水平
q
三态双向数据总线
q
较低的工作和待机电流
q
辐射加固工艺和设计;总剂量
辐射测试MIL- STD- 883方法1019
- 总剂量： 1.0E6拉德（SI ）
- 记忆细胞LET阈值： 85兆电子伏特厘米
2
/毫克
q
q
- 闭锁免疫（ LET >100兆电子伏特厘米
2
/毫克）
QML Q和QML V标准的一部分
封装选项：
- 68引脚扁平封装
- 68针PGA
5伏操作
标准微电路图纸5962-96845
介绍
该UT7C138和UT7C139是高速辐射
硬化的CMOS 4K ×8和4K ×9双端口静态RAM 。
仲裁方案都包括在UT7C138 / 139到上
处理的情况下，当多个处理器访问同一
存储器位置。两个端口提供独立的，
对于异步访问读取和写入操作中的任何位置
内存。该UT7C138 / 139可以用作独立的
三十六分之三十二- Kbit的双口静态RAM或多个设备可以
组合，以便用作，16/ 18位或者更宽的主/
从双口静态RAM 。对于需要应用
深度扩展， BUSY引脚为集电极开路让
有线或电路配置。在M / S引脚设置
实施一十八分之十六位或更宽存储器应用
而不需要单独的主设备和从设备或
额外的分立逻辑。应用领域包括：
处理器间/多处理器设计，通信，
和状态缓存。
每个端口都有独立的控制引脚：芯片使能（ CE ） ，
读或写使能（ R / W） ，并输出使能（OE ） 。忙
信号，该端口正在尝试访问相同的位置
目前正由其他端口进行访问。
读/写
R
CE
R
OE
R
q
q
读/写
L
CE
L
OE
L
A
11L
A
10L
I / O
8L
(7C139)
I / O
7L
I / O
0L
忙
L
A
9L
ROW
SELECT
内存
ARRAY
ROW
SELECT
A
11R
A
10R
I / O
8R
(7C139)
COL
SEL
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
COL
SEL
I / O
7R
I / O
0R
忙
R
A
9R
A
0L
M / S
仲裁
A
0R
图1.逻辑框图
AEROFLEX [ AEROFLEX CIRCUIT TECHNOLOGY ]
